模拟
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东芝和新帝Fab 5新厂
连于慧 NAND Flash大厂东芝(Toshiba)和快闪记忆卡大厂新帝(SanDisk) 于日本三重县四日市合资新12吋晶圆厂Fab 5，此座新厂是采用2层式钢结构混凝土建筑，共达5层楼，建筑面积约38,000平方米，使用面积约187,000平方米
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12吋金凸块
李洵颖 LCD驱动IC主要以8吋制程为主，随著日、韩厂商克服技术问题，将制程转往12吋0.11微米制程，以降低成本。 其中日本整合元件(IDM)大厂瑞萨(Renesas)当时的考量，在于为了提高面板解析度及增加影像资料传输速度
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力旺NeoBit技术 与台积电合作驱动晶片
连于慧／台北 嵌入式非挥发性记忆体IP供应商力旺宣布，其单次可程式记忆体矽智财NeoBit技术，已在台积电80奈米高电压制程完成可靠度验证，并成功导入高画质(high-definition)显示驱动晶片领域，将应用于下一世代智慧
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半导体3Q现隐忧 台封测厂：不变应万变
李洵颖／台北 半导体产业第3季利空消息充斥，外商如诺发(Novellus)、微芯(Mircochip)及应材(Applied Material)先后指出，晶圆厂客户投资态度转趋保守，市场亦传出台积电、联电恐将下修资本支出，对后段封测大厂日月光
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三星完成20nm Gatelast HKMG制程ARM处理器测试用芯片的流片设计
三星公司近日宣称已经和ARM，以及EDA自动化设计软件供应商Cadence Design Systems一起完成了一款基于20nm HKMG制程工艺的ARM处理器测试用芯片的流片设计工作。 三星表示，与之前的制程产品相比，20nm制程芯片必须
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东芝半导体新工厂投产应对智能手机需求
为应对智能手机旺盛需求，东芝半导体新工厂12日正式投产，预计8月出货。 据日本共同社7月13日报导，东芝在三重县四日市市新建的四日市第五工厂12日举行了竣工仪式。 工厂已从7月开始量产半导体产品，计划于8月起出
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中芯争夺战：CEO王宁国递交辞呈
董事会一番攻防角力之后，中芯国际[0.63 3.28%]控制权争夺又有新进展。 7月13日，记者从知情人士处独家获悉，中芯CEO王宁国已正式向董事会提出辞呈。“如果不出意外，董事会将通过王宁国辞职的决定，很快就会进行
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达能 晶圆3厂Q4完工投产
太阳能矽晶圆厂达能（3686）位于观音工业园的晶圆三厂昨（13）日举行上梁典礼，预计第4季完工并准备投产，产能规划为220MW，届时公司的总装置产能将上550MW。此外，达能也公布于本月29日除权息，预计配息1元、配股0.
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东芝Sandisk 共庆300mm级NAND闪存厂Fab 5在日投产
东芝株式会社与SanDisk公司今日共同庆祝位于日本三重县四日市东芝生产基地的第三家300mm晶圆NAND生产工厂Fab 5正式投产。 由于消费者对于智能手机、平板电脑和其他电子设备的巨大需求推动着NAND闪存的全球需求总量进
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多轴陀螺仪在第三次MEMS浪潮占尽先机
从上世纪90年代早期MEMS器件开始投入应用，到随后十年MEMS加速度计在消费电子领域引发第二次应用浪潮，直到今天已经进入的第三次MEMS应用浪潮——多轴MEMS陀螺仪模块将在更多领域发挥更广泛的作用。MEMS传感器供应商
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王宁国提辞呈 中芯上演人事大动荡？
王如晨 内讧中的中芯国际[0.63 3.28%]集成电路制造有限公司(下称“中芯国际”，00981.HK)，更大的动荡迹象开始显现。这家中国最大的代工企业，或将经历一场比创始人离职时更大的危机。 《第一财经日报》获悉
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三星成功流片全球第一颗20nm工艺试验芯片
三星电子今天宣布，已经成功实现了20nm工艺试验芯片的流片，这也是迄今为止业内最先进的半导体制造工艺。 三星电子此番利用了美国加州电子设计自动化企业Cadence Design Systems提供的一体化数字流程RTL-to-GDSII。
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高速链路时钟抖动规范基础知识
本文介绍时钟抖动对高速链路性能的影响。我们将重点介绍抖动预算基础。
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东芝/SanDisk合资Fab5投产 首批晶圆8月出货
Toshiba东芝株式会社(TOKYO：6502) 与SanDisk公司 (NASDAQ：SNDK) 共同庆祝，位于日本三重县四日市东芝生产基地的第三家300mm(12寸)晶圆NAND生产工厂Fab 5正式投产。由于消费者对于智慧手机、平板电脑和其他电子设备
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力旺NeoBit获台积电80奈米高电压制程验证
矽智财商力旺电子(3529)13日宣布，其单次可程式记忆体NeoBit技术已顺利于台积电(2330)80奈米高电压制程完成可靠度验证，并已成功导入客户之高画质(high-definition)显示驱动晶片，将应用于下一世代智慧型手机。力旺电
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