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内斗陷被逃税争议谁是中芯真正主人

一山不容二虎。连日来中芯国际“风光十足”，赚足了各大媒体版面的头条，为了拉对手下台，变本加厉，大爆曾经患难兄弟的丑闻，使得个人权利内斗再次升级，上演了一出非死即亡的恶斗表演。这似乎预示着，中芯国际正在

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2011-07-12

中芯中芯国际华为 CE
Molex推出闩锁型Picoflex接头

21ic讯 Molex公司宣布扩展其丰富的Picoflex® IDT 连接器系统，最新产品是闩锁型Picoflex接头(Latched Picoflex Header)，适用于在受限空间需要功率和信号的各种高密度应用。Picoflex连接器系统包含PCB接头、电缆

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2011-07-12

连接器 PIC MOLEX FLEX
基于TMS320F2812的谐波谱线显示设计

　引言　　电力电子元器件等大量非线性设备在电力系统中的投入使用，使得电网的谐波污染给电网和用电设备带来了安全隐患，所以对谐波进行实时检测，确切掌握系统谐波状况，对防止谐波危害、维护电网的安全运行十分必

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2011-07-12

谐波 I/O TMS320F2812 TIMES
快速色彩平衡算法分析

摘要：在图像处理中，为了提高传统色彩平衡算法的计算速度、降低算法的复杂度，提出了一种全新的快速色彩平衡算法，即过滤少量极端像素颜色值并按比例提高剩余的非极端像素颜色值的方法。通过对多幅图片的处理，相

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2011-07-12

内存矩阵 RGB TIMES
检测传感器和放大器间的故障

　摘要：即使正常状态下，传感器和放大器间也可能出现故障，该故障可能是由错误应用、所处的使用环境、低品质的组件或其他原因引起的。本文将介绍经常发生的故障类型，并举例说明这些故障是如何导致错误的测量结果。

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2011-07-12

检测传感器放大器仪表放大器故障检测
一种基于D类音频放大器的输出滤波器的设计与实现

　在便携式及小型化消费类产品中，D类音频功率放大器的应用已非常普遍。本文介绍了D类音频放大器的输出低通滤波器的设计原理，给出了滤波器中电感和电容值的计算方法和选择时的考虑因素。本文还以美国国家半导体的。

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2011-07-12

输出滤波器 D类放大器 BSP D类音频放大器
DRAM产业技术转型期成本下降趋势放缓

据IHSiSuppli公司的研究，随着DRAM市场过渡到效率更高的低纳米技术，该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓。虽然最近几个季度DRAM产业在推低光刻节点方面比较积极，但在今年剩余时间内力度将逐渐减弱。今年

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2011-07-12

DRAM 40纳米节点 ISUPPLI
Linear推出1oC 准确度测量远端二极管

21ic讯凌力尔特公司近日推出了高准确度温度至电压转换器 LTC2997，该器件具面向 2.5V 至 5.5V 系统的内置串联电阻消除功能。今天很多低压系统依靠温度来估计系统的总体状态和可靠性。传统的可实现方案需要采用一连

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2011-07-12

二极管 Linear BSP LTC
未来五年片式产品大热将占中国滤波器产量60%以上

陶瓷贴片振荡器(SMD)、单芯片振荡器与声表面波振荡器(SAW)以及性能增强型模块是目前振荡器产品的发展焦点，中国大陆的众多供应商都在努力追随这一市场趋势。各类应用对于性能与尺寸的要求，正在驱动中国的晶体、振荡

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2011-07-12

滤波器振荡器晶体 TIMES
中芯国际董事会推迟 CEO和COO团队矛盾激化

第一财经日报王如晨中芯国际董事会一名董事对《第一财经日报》确认，公司董事会会议要延期举行，有关董事长一职，可能仍须继续等待。知情人士透露，新任董事张文义已被提名当董事长，过关几率很大。但他焦虑地

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2011-07-12

大唐 COO 中芯国际 CE
MEMS射频滤波芯片项目落户天津开发区

人民网·天津视窗7月8日电：7月7日下午，天津开发区管委会与天津大学、江苏常诚汽车部件有限公司就MEMS(微机电系统)射频滤波芯片项目签署投资合作协议。天津大学校长李家俊，滨海新区区委常委、天津开发区(南港工业区

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2011-07-12

射频芯片滤波 MEMS
封测3雄力成6月最亮

封测三雄日月光(2311)、矽品(2325)、力成(6239)，6月合并营收增减互见，但以整体第二季营收来看，季营收仍比第一季成长，受到客户延迟下单冲击不大，相较其他半导体产业表现为佳，以力成6月合并营收续创历史新高最为

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2011-07-12

DRAM 平板电脑 Flash
高层矛盾激化中芯董事会推迟

在中芯国际董事长江上舟突然辞世后，中芯的高层动态「波涛汹涌」，原定本周选出张文义出任董事长后，据《第一财经日报》引述该董事会一名董事透露，公司董事会会议要延期举行，董事长一职仍须继续等待。知情人士

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2011-07-12

大唐 COO 中芯中芯国际
10nm以后我们在开发英特尔日本副社长阿部谈MPU制造的未来

制造工艺的发展蓝图出处：美国英特尔的Press专用主页（点击放大） Tri-Gate的特点出处：美国英特尔的Press专用主页。（点击放大）英特尔日本的阿部刚士（董事副社长兼技术开发和制造技术本部长）7月8日作为特

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2011-07-12

晶体管英特尔 MPU TE
MIT实现9纳米工艺电子束光刻技术

麻省理工学院 (MIT)的研究人员表示，已经开发出一种技术，可望提升在芯片上写入图案的高速电子束光刻解析度，甚至可达9nm，远小于原先所预期的尺寸。MIT表示，电子束光刻工具的最小特征尺寸已证实可以解决25nm的制程

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2011-07-12

电子光刻胶光刻技术 MIT

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Molex推出闩锁型Picoflex接头

基于TMS320F2812的谐波谱线显示设计

快速色彩平衡算法分析

检测传感器和放大器间的故障

一种基于D类音频放大器的输出滤波器的设计与实现

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未来五年片式产品大热将占中国滤波器产量60%以上

中芯国际董事会推迟 CEO和COO团队矛盾激化

MEMS射频滤波芯片项目落户天津开发区

封测3雄力成6月最亮

高层矛盾激化中芯董事会推迟

10nm以后我们在开发英特尔日本副社长阿部谈MPU制造的未来

MIT实现9纳米工艺电子束光刻技术

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