三星电子(Samsung Electronics)于NAND Flash、DRAM、SRAM等存储器领域,皆已是市场领导级业者,因此,除维持此领先地位外,其也认为开发新成长事业有必要性,目前锁定的项目之一是晶圆代工业务。三星晶圆代工事业以2
日立制作所宣布,开发出了有关中高耐压(35~300V左右)晶体管的两项技术。其一是在一枚芯片上集成源漏极耐压各不相同的多个晶体管的技术,另一个是可将栅源极耐压提高至300V的技术。 图1:可将耐压各不相同的
NAND战略(点击放大) 系统LSI战略(点击放大) 东芝代表执行董事社长佐佐木则夫在2011年5月24日举行的“2011财年经营方针说明会”上介绍了该公司的半导体业务经营战略。佐佐木表示,对于NAND闪存,将强化产品
旭曜科技与晶圆代工大厂台积电(TSMC)共同宣布,旭曜科技采用台积电80奈米高电压(High Voltage)制程技术,成功推出业界第一颗高整合度的智慧型手机高画质(High Definition)显示驱动晶片HD720。 旭曜科技 HD720 高画质
在线性系统中,简单地把小信号输入阻抗的复共轭用作源匹配网络、把小信号输出阻抗的复共轭用作负载匹配网络就可以了。但针对功率器件和它们的非线性特性,负载拉移系统可以提供必要的信息最大限度地提高宽频率范围内的功率转移和输出功率。
我们成功地采用具有双平行耦合线和矩形槽的均匀MMR实现了UWB微带带通滤波器设计。通过正确调整矩形槽的长度(L)、宽度(W)和位置(d),可以重新分配三个谐振频率,从而使UWB滤波器取得更好的通带性能,包括<1.5dB的插入损耗和≥10dB的反射损耗,以及小于0.3ns的群延迟变化。测量得到的性能指标与仿真结果非常接近。
本文分析了全彩8s点阵模块内部电路及实际针脚排列,同时分析了8s控制原理。
引言 在巨大的市场压力之下,高功率无线电设计似乎显得比以往任何时候都更具成本效益。其中,最重要组成部分便是发射机效率。简单看一下功率放大器(PA)的传递函数,就会发现线性度与电源效率之间存在根本的对立
引言 我们都知道影响数据采集系统的主要因素包括:速度、精度、功耗、封装尺寸及器件成本,对于不同的应用,最关键的因素也不同。本文描述了在八通道数据采集系统中,如何使用单个运算放大器来驱动ADC,以降低整个
21ic讯 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出首款面向磁共振成像 (MRI) 等医疗影像应用的四通道 16 位模数转换器 (ADC)。该 ADS5263 支持 10 MHz 输入,采样频率高达 100 MSPS,可实现 84.6 dBFS 的信噪比 (SNR),从而可充分
晶圆代工龙头台积电日前董事会核准约16亿美元资本支出预算,将部份12寸厂产能升级为特殊制程使用。台积电昨(24)日与LCD驱动IC厂旭曜科技共同宣布,旭曜针对智能型手机推出的高画质(HD)LCD驱动IC,已在台积电12寸
台北国际计算机展(Computex)月底登场,随著第3季传统旺季到来,智能型手机及平板计算机等终端市场需求转强,ARM架构应用处理器(AP)回补库存需求大增,包括高通(Qualcomm)、美满科技(Marvell)、飞思卡尔、德仪
三星电子(SamsungElectronics)于NANDFlash、DRAM、SRAM等存储器领域,皆已是市场领导级业者,因此,除维持此领先地位外,其也认为开发新成长事业有必要性,目前锁定的项目之一是晶圆代工业务。三星晶圆代工事业以201
全球NANDFlash市场需求在5月进入冰河期,不仅快闪记忆卡和随身碟应用需求大幅降温,甚至传出平板电脑及智慧型手机大厂亦出现砍单情况,记忆体零售和系统端需求明显降温,市场五穷六绝迹象显现,使得记忆体模组厂营收
据南韩电子新闻报导,南韩半导体业者在衡量记忆体晶片业者竞争力高低的微细制程比重大占优势,维持在全球DRAM市场的主导权,尤其40奈米等级微细制程扩大,使南韩企业市占率随之扩大,在2011年第1季写下不错成绩,其他