模拟
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内置片内电阻的双路差动放大器实现精密ADC驱动器
配有运算放大器和外部增益设置电阻的分立式差动放大器精度一般，并且温度漂移明显。采用1%、100ppm/°C标准电阻，最高 2%的初始增益误差最多会改变200 ppm/°C，并且通常用于精密增益设置的单片电阻网络过于
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一种共基差分低噪声放大器设计
配有运算放大器和外部增益设置电阻的分立式差动放大器精度一般，并且温度漂移明显。采用1%、100ppm/°C标准电阻，最高 2%的初始增益误差最多会改变200 ppm/°C，并且通常用于精密增益设置的单片电阻网络
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带精密电源基准电平转换的高性能差分放大器
采用小尺寸工艺设计的高性能ADC通常采用1.8V至5V单电源供电。为了处理±10 V或更大的信号，ADC一般前置一个放大器电路以衰减该信号，防止输入端饱和。在信号包含大共模电压时普遍采用差分放大器（diff a
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航天信息致力于物联网芯片研发
旨在展示物联网最新技术成果的2010中国国际物联网（传感网）博览会日前开幕。本次博览会微软、中国电信、华为等一批海内外知名企业参加展览，涵盖了物联网上下游完整产业链，是物联网领域迄今为止最高级别的国家级博
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由亏转盈大陆晶圆代工好光景来到？
近期大陆晶圆代工市场屡传营运捷报，中芯国际自从第2季扭转连续12季的亏损局面后，第3季也持续获利；台积电旗下上海松江厂也在第2季扭转连7年的亏损，第2、3季连2季赚钱，从中芯到台积电上海松江厂的获利近况来看，是
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德仪12吋厂确定做模拟IC，明年Q1量产
自德仪大举扩产并宣称将用以增加模拟IC产能后，国内模拟IC业者提心吊胆，而近期市场对于德仪12吋厂用途出现分歧说法，德仪半导体营销总经理陈建村今(16)日重申，美国德州RFAB12吋厂、日本飞索的8吋厂及成都8吋厂，未
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42奈米制程 明年Q2量产
支应集团DRAM事业制程升级大计，南科（2408）规划办理99亿元现增，台塑四宝依持股，连手斥资40.8亿元大力相挺。南科董事长吴嘉昭昨（16）日表示，集团DRAM在年底华亚科全面导入50奈米制程后，亦即完成导入堆栈式改变
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手机芯片市场将迎发展新格局 多元竞争将取代一家独大局面
手机芯片市场发展情况不容乐观。据报道，亚洲手机芯片龙头联发科降价抢市策略成效显现，造成芯片供不应求，市场传出，联发科因已抢下的晶圆代工产能不足，找上大陆晶圆代工厂中芯国际，现正进行试产，加速解决芯片供
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供过于求持续11月上旬DRAM合约价续跌逾7%
11月上旬DRAM合约价再跌超过7%，虽然跌幅较10月大幅缩减，但仍挡不住DRAM市场严重供不于求的事实，虽然DRAM厂这次再度发动减产策略，但仍抵挡不住这波DRAM价格崩盘潮，主要是转换制程所产出的新产能太多，加上目前终
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美信与力晶合作BCD-MOS制程投片
继德州仪器开始在美国12寸厂RFAB开始生产模拟IC之后，另一模拟芯片整合组件大厂美信半导体（Maxim）宣布，透过与台湾DRAM大厂力晶科技合作，成功完成0.18微米双载子/互补/扩散金属氧化半导体（BCD-MOS）制程认证，并
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AMD、Marvell加速X86-ARM架构之争
AMD计划跟随英特尔的脚步，在X86平台架构上一展所长，而后来者ARM似乎也有雄心争霸芯片市场。比如同一时间Marvell就推出了他们专门为数据中心所定制的ARM芯片。AMD新的处理器计划的发布于Marvell新产品的发布撞在了一
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IHLP系列小外形、高电流电感器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款采用6767外形尺寸的IHLP®小外形、高电流电感器。IHLP-6767DZ-11具有4.0mm的超薄厚度，还具有高效率和低至2.05mΩ的DCR，以及1.0μH～47.0μH的宽范围
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Power Metal Strip电阻系列（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款新的采用3921和5931外形尺寸的表面贴装Power Metal Strip®电阻 --- WSLP3921和WSLP5931，电阻具有5W～10W的高功率等级和低至0.0003Ω的极低阻值。WSLP392
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PCI Express 3.0信号调理重计时器（IDT）
IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI）推出业界首款信号调理重计时器。该器件完全符合即将发布的PCI Express®（PCIe®）3.0标准。IDT 重计时器是刀片服务器、企业存储和通信系统
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IDT在京召开2010年度分销商大会
IDT® 公司于2010年11月10至12日在北京举办了2010年度分销商大会。此次活动，有超过70位来自IDT中国区主要分销商的现场应用工程师、销售工程师和高级经理人参加。IDT在大会上展示了最新产品系列涉及消费应用、通信
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