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LDO噪声详解
引言随着通信信道的复杂度和可靠性不断增加，人们对于电信系统的要求和期望也不断提高。这些通信系统高度依赖于高性能、高时钟频率和数据转换器器件，而这些器件的性能又非常依赖于系统电源轨的质量。当使用一个高噪
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ADI推出专用于前端放大的高精度运算放大器
21ic讯 Analog Devices, Inc. (ADI)最近推出一款专用于前端放大电路的高精度放大器ADA4077-2，提供业界最佳的失调电压、电压温度漂移、带宽、压摆率和噪声综合性能。这款运算放大器具有高直流精度、低噪声、高速、低
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我国最新一代集成电路制造工艺研发取得突破性进展
近年来，我们使用的电脑、手机等速度更快、耗电更省、成本更低，这有赖于集成电路制造工艺的不断进步。记者近日从中国科学院微电子研究所获悉，该所集成电路先导工艺研发中心在22纳米技术代集成电路关键技术研发上取
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芯片之年：英特尔与ARM市场竞争白热化
ARM先发制人冲击x86市场如今的芯片市场，英特尔可以说在PC和服务器处理器市场占据了主导地位，而ARM架构由于其对能效的控制技术，已经在移动设备领域有着突出的优势。然而，随着IT市场的变化，英特尔越来越多地将目光
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半导体需求回温东芝日本工厂元旦假期将加班赶工
日本媒体产经新闻报导，全球第2大NAND型快闪记忆体(FlashMemory)厂商东芝(Toshiba)于21日宣布，因半导体需求回温，故旗下日本半导体工厂将于今年年末的元旦假期期间加班赶工。东芝表示，于去年元旦假期停工8天的姬路
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我国最新一代集成电路制造工艺研发取得突破性进展
近年来，我们使用的电脑、手机等速度更快、耗电更省、成本更低，这有赖于集成电路制造工艺的不断进步。记者近日从中国科学院微电子研究所获悉，该所集成电路先导工艺研发中心在22纳米技术代集成电路关键技术研发上取
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中芯国际背照式成像传感技术取得突破
中芯国际宣布在背照式CMOS成像传感技术研发领域取得突破性进展，首款背照式CMOS成像传感测试芯片一次流片即获得成功，在低照度下同样获得高质量的清晰图像。这标志着中芯国际自主开发的背照式CMOS成像传感芯片全套晶
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智能型手机受拖累延后上市
今年对于全球手机或平板电脑晶片厂商来说，是个接单满手但无法足额出货的一年，最大原因就在于台积电28奈米产能严重吃紧，直到今年第4季才能满足市场需求。也正因为台积电28奈米产能不足，影响到手机晶片及应用处理器
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爱美科与新思携手将TCAD应用于10奈米FinFET
比利时奈米电子研发机构爱美科 ( Imec )与全球晶片设计、验证与制造及电子系统软体供应商新思科技( Synopsys )宣布，双方将扩大合作范围并将电脑辅助设计技术(Technology Computer Aided Design， TCAD)应用于10奈米
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SoC已有眉目微细化至10nm无需3D晶体管
SoC（systemonachip）是智能手机及平板电脑等移动产品的心脏。推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择。那就是最近意法半导体（ST）已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI（fullydepletedsilicononin
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爱德万T2000 8Gbps数位模组满足高速测试需求
爱德万测试公司推出 T2000 8GDM ，能满足系统单晶片(SoC)装置各式介面高速测试需求，包括序列式、平行式及记忆介面，如 PCI-Express 与双倍资料传输率(DDR)连接等。 多功能 T2000 8GDM 可支援各种 SoC 介面测试，资
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接单满载 台积下季 淡季不淡
受惠行动装置新产品持续推陈出新，包括手机基频芯片、ARM应用处理器、手机电源管理及无线网络芯片等订单不减反增，晶圆代工龙头台积电明年第1季接单大致底定，12寸厂利用率接近满载，8寸厂利用率可望逼近9成，营收季
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三星39亿美元扩建奥斯丁芯片产品线获批准
三星电子旗下的Samsung Austin Semiconductor LLC(SAS)宣布计划投资39亿美元以满足对半导体产品快速增长的消费需求。如今在他们与德州政府进行了一番商谈之后，这一计划终于获得了批准。这些资金将会被用于更新其位于
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南茂科技
百慕达南茂科技为半导体封装测试领域公司，于美国那斯达克股票市场公开上市(代号:IMOS)。百慕达南茂除了拥有记忆体半导体及混合讯号产品后段测试业务，LCD驱动IC产品也是业务重点。 百慕达南茂旗下的台湾南茂科技亦
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三星14nm制程技术Tape Out完成
即使三星电子最近被采用Exynos系列处理器之行动装置产品疑似存在着安全漏洞问题搞的乌烟瘴气，但在迈向14奈米制程技术之路一样没有任何懈怠。继格罗方德半导体以及英特尔后，三星也向外界宣布采用14奈米制程技术之行
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