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与MAM首次联办，20nm微细化和CPI应力为焦点话题

半导体多层布线技术相关国际会议“2011年IEEE国际互联技术会议（IITC）”于5月9～12日在德国萨克森州（Sachsen）的首府德累斯顿（Dresden）召开。此次是IITC首次在欧洲举行，并首次与材料相关国际会议“Materials fo

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2011-05-12

应力 PI TC TECHNOLOGY
MEMS代工渐兴　半导体厂势力抬头

半导体晶圆代工厂跨足微机电系统(MEMS)代工业务的比例已愈来愈高，包括台积电、联电、全球晶圆(GlobalFoundries)，甚至中国大陆中芯半导体，都积极扩大布局。市场研究机构Yole Developpement认为，尽管目前大多数M

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2011-05-12

半导体元件 MEMS BSP
观点：22纳米3D晶体管是否足以使英特尔击败ARM？

英特尔最近发布了22纳米三栅极晶体管技术(参阅电子工程专辑报道：图解英特尔提前量产3D晶体管，进入22nm时代)，市场研究公司IHS iSuppli认为该技术使得这家世界第一的芯片厂商得以进军智能手机与多媒体平板市场、同时

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2011-05-12

晶体管英特尔 ARM 栅极
台积电成为SEMATEC核心成员推进20奈米以下制程

台积电(2330)11日在美国股市开盘前发布英文新闻稿指出，该公司决定成为半导体制造技术产业联盟(SEMATEC)的核心成员，为了因应业界面临到的一些急待解决的难题，此项合作关系将着重在先进的技术开发上。台积电表示，将

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2011-05-11

台积电 TE AN SE
平白少赚了！新台币每升值1% 台积电营益率减0.4% 联电少0.5%

新台币今天早盘升破28.5元关卡，盘中一度升抵28.495元新高，并对电子业汇损压力持续增加。针对汇率变化影响，晶圆双雄台积电(2330-TW)(TSM-US)、联电(2303-TW)(UMC-US)分别表示，公司内部针对新台币走强，将持续顺势

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2011-05-11

联电台积电 GUIDANCE COMMENT
升值压力加重 NB与封测业强化避险华硕甚至出现汇兑收益

新台币升不停，台积电(2330-TW)董事长张忠谋也跳出来喊话，呼吁央行需稳定汇率，不过NB代工及封测业者多表示，虽然新台币已升破29元关卡，不过升幅已不如先前剧烈，且各家在经历去年下半年新台币急升的震撼教育后，对

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2011-05-11

半导体华硕封装台积电
分析师称英特尔3D晶体管突破未必赢得行动市场入场券

英特尔(Intel)日前大动作地发表了其年度科技大突破，号称其3D三闸(Tri-Gate)晶体管技术，将可望为其进军行动处理器市场，铺下一条平坦大道，但根据ZDNet网站引述市调研究机构Gartner分析师的意见指出，英特尔在通讯

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2011-05-11

晶体管英特尔处理器智能型
英飞凌在奥地利投资1.98亿欧元用于生产和研发

21ic讯作为2011财年计划投资项目的组成部分，英飞凌科技在奥地利投资约1.98亿欧元，用于扩大产能和研发。2011财年，英飞凌计划在奥地利再创造400个工作岗位。英飞凌目前在菲拉赫、林茨、克拉根福、格拉茨和维也纳工

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2011-05-11

英飞凌移动汽车电子 BSP
集成电路产业面临难得机遇

近日，省经信委曹晓武副主任在出席省软件行业协会集成电路专业委员会成立大会时表示，集成电路产业政策环境得到空前优化，加快集成电路行业发展正面临着难得的机遇。据悉，集成电路产业是国民经济和社会信息化发展重

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2011-05-11

集成电路设计软件芯片设计集成电路产业
分析师称英特尔3D晶体管突破未必赢得行动市场入场券

英特尔(Intel)日前大动作地发表了其年度科技大突破，号称其3D三闸(Tri-Gate)晶体管技术，将可望为其进军行动处理器市场，铺下一条平坦大道，但根据ZDNet网站引述市调研究机构Gartner分析师的意见指出，英特尔在通讯技

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2011-05-11

晶体管英特尔处理器智能型
TSMC 4月营收同比增长10.9%

TSMC 10日公布2011年4月营收报告，就非合并财务报表方面，营收约为新台币362亿3,100万元，较今年3月减少了0.4%，较去年同期则增加了10.9%。累计2011年1至4月营收约为新台币1,387亿7,900万元，较去年同期增加了13.9%。

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2011-05-11

TSMC
“iPad 2”的SoC：A5芯片面积增至2.3倍

美国苹果公司为2011年3月在美国等地上市的平板终端“iPad2”配备了名为“A5”的SoC(系统芯片，systemonachip)。《日经电子》由在外部技术人员协助下对A5的拆解，得知了其裸片面积扩大至上代“A4”的约2.3倍，而且CPU

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2011-05-11

CPU 芯片 SoC IPAD
NAND Flash大厂积极制程转换　下半年20纳米当道

2011年全球NANDFlash中，全球三星电子(SamsungElectronics)仍是位居全球NANDFlash市场龙头，市占率高达36.2%，紧追在后的是东芝(Toshiba)，市占率达35.1%，两者合计掌握70%以上NANDFlash市场；根据市调机构TrendForc

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2011-05-11

美光 Flash NAND NANDFLASH
半导体硅晶圆库存六月将见底三季度硅晶圆价格预期将大涨

受到日本地震影响，半导体硅晶圆供应缺口将逐渐在六月份半导体业者库存见底之际，产生明显的缺料危机，再加上日本拟关闭核电厂，接下来的电力短缺恐将进一步影响上游硅晶圆的供料吃紧。据半导体业者表示，以往在每季

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2011-05-11

半导体 DRAM 硅晶圆
高清图详解英特尔最新22nm 3D晶体管

业界一直传说3D三栅级晶体管技术将会用于下下代14nm的半导体制造，没想到英特尔竟提前将之用于22nm工艺，并且于上周四向全世界表示将在年底进行规模量产，批量投产研发代号Ivy BRIDGE的22纳米英特尔CPU，并在美国展

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2011-05-11

晶体管英特尔栅极 BSP

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