MSP430F149内部Flash操作

硬件介绍：

要对Flash读写，首先要了解MSP430的存储器组织。430单片机的存储器组织结构采用冯诺依曼结构，RAM和ROM统一编址在同一寻址空间中，没有代码空间和数据空间之分。

一般430的单片机都统一编址在0-64k地址范围中，只有少数高端的型号才能突破64k（如：FG461x系列）。绝大多数的msp430单片机都编址在64kB范围内。地址的大概编码方式如下：

这是msp430f425的存储器分配图，其他在64k范围内的存储器的单片机编址方式与此类似：低256B是寄存器区，然后是RAM；空白；1000H到10FFH是信息Flash区；大于1100H-0FFFFH是主存储器区(从0FFFFH开始往低地址有单片机的主Flash，多余的部分空白)。

MSP430F14x的Flash分布：

MSP430F16x的Flash分布：

主Flash部分和信息Flash部分如下(60kB Flash对应的单片机，如msp430f149、msp430f149)：

主Flash分为以512B为段的单位，0段是单片机中断向量等程序入口地址，使用时不要擦除此段或改写此段，若要擦除或是改写，请先保存内容到RAM或其他段；主Flash各段内容均要避免写入或擦除，以免造成不可预料的后果。

信息Flash分为两段：段A和段B，每段128B；可以保存用户自己的内容(主Flash也可以但是要避免与程序代码区冲突)；这里就把信息Flash的两段称为InfoA(1080H-10FFh)和InfoB(1000H-10FFH)。

Flash的操作包括：字或字节写入；块写入；段擦除；主Flash擦除；全部擦除。任何的Flash操作都可以从Flash或从RAM中运行。

Flash操作时需要时序发生器，Flash控制器内部含有时序发生器用以产生所需的Flash时钟，Flash时钟的范围必须在257kHz到476kHz之间。时序发生器的框图如下：

时序发生器可以选择ACLK、MCLK、SMCLK作为时钟源，通过分频获得所需的257kHz到476kHz之间的Flash操作时钟。如果时钟频率不再这个范围内，将会产生不可预料的结果。

擦除：擦除之后，存储器中的bit都变为1；Flash中的每一位都可以通过编程写入有1到0，但是要想由0变为1，必须通过擦除周期。擦除的最小单位是段。有三种擦除模式：

MERASERASEEraseMode
01Segmenterase
10Masserase(allmainmemorysegments)
11Eraseallflashmemory(mainandinformation.segments)

可以通过MERAS、ERASE位来设置擦除的模式：段擦除，主Flash擦除，全部擦除。

对要擦除段内的一个地址空写入启动擦出周期：空写入可以启动时序发生器和擦除操作。空写入后BUSY位立即变高直到擦除周期结束，这一位变为低(0)。BUSY, MERAS和 ERASE位在擦除周期结束后会自动复位。擦除周期的时间和要擦出的Flash大小无关，每次擦除的时间对于MSP430F1xx系系列单片机来说，所需时间是一样的。擦除的时序如下：

当空写入到的地址不在要擦除的段地址范围内的时候，空写入无效，直接被忽略。在擦除周期内，应该关中断，直到擦除完成，重新开中断，擦除期间的中断已经置标志位，开中断后立即响应。

从Flash中启动的擦除操作：擦除操作可以从Flash中启动或是从RAM中启动。当操作是从Flash中启动的时候，Flash控制器控制了操作时序，CPU运行被暂停直到擦除结束。擦除周期结束后，CPU继续执行，从空写入之后的指令开始运行。当从Flash中启动擦除操作时，可以擦除即将运行的程序所在的段，如果擦除了即将运行的程序所在的Flash段时，擦除结束后，CPU的运行不可预料。

从Flash启动时擦除周期如下：

用户指南里面的示例汇编程序如下：

;SegmentErasefromflash.514kHz
从RAM中启动擦除操作：任意擦除周期都可以从RAM启动，这时CPU不再暂停而是继续从RAM中运行接下来的程序。CPU可以访问任何Flash地址之前，必须检查BUSY位以确定擦除周期结束。如果BUSY = 1访问Flash，这是一个访问冲突，这时ACCVIFG将被设置，而擦除的结果将是不可预测的的。
从RAM中启动擦除操作时，过程如下：
要在擦除之前确认没有访问Flash，然后擦除完成之前不允许访问Flash。
;SegmentErasefromRAM.514kHz
写Flash操作：写入的模式由WRT和BLKWRT位来确定：
BLKWRTWRTWriteMode
01Byte/wordwrite
11Blockwrite
这两种模式中块写入大约是字或字节写操作时的两倍快，因为在块写入完成之前，变成电压一直维持直到块写入完成。同一个位置不能在擦除周期之前写入两次或以上，否则将发生数据损坏。写操作时，BUSY位被置1，写入完成后，BUSY被自动清零。如果写操作是从RAM发起的，在BUSY=1时，程序不能访问Flash，否则会发生访问冲突，置位ACCVIFG，Flash写入操作不可以预料。
字或字节写入：字或字节写入可以从Flash内部发起，也可以从RAM中发起。如果是从Flash中启动的写操作，时序将由Flash控制，在写入完成之前CPU运行将被暂停。写入完成后CPU将继续运行。
操作时序如下：
若是从RAM中启动写Flash，程序将继续从RAM中运行。CPU再次访问Flash之前必须确认BUSY位已经清零，否则会发生访问冲突，置位ACCVIFG，写入的结果将不可预料。
字或字节写入模式下，内部产生的编程电压时适用于完整的64个字节块的写入
Inbyte/wordmode,theinternally-generatedprogrammingvoltageisapplied
tothecomplete64-byteblock,eachtimeabyteorwordiswritten,for32ofthe
35fFTGcycles.Witheachbyteorwordwrite,theamountoftimetheblockis
subjectedtotheprogrammingvoltageaccumulates.Thecumulative
programmingtime,tCPT,mustnotbeexceededforanyblock.Ifthecumulative
programmingtimeismet,theblockmustbeerasedbeforeperformingany
furtherwritestoanyaddresswithintheblock.
从Flash发起写字节或字时：
;Byte/wordwritefromflash.514kHz0FF1EhMOV#FWKEY,&FCTL1;Done.ClearWRTMOV#FWKEY+LOCK,&FCTL3;SetLOCK...;Re-enableWDT?EINT;Enableinterrupts