脉冲Vds-id 的测试参数

时间：2018-10-10 16:40:13

关键字：脉冲 vds-id 测试参数

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[导读] 漏极电压Vd，从0至4V进行扫描，在每个Vd扫描之后，门极电压Vg步进到下一个数值。传统的只有直流的Vds-id和通过4200-RBT,偏置T型接头的直流IV测试之间的主要区别是SMU的数量。通过偏置T型接头进行的直流

漏极电压Vd，从0至4V进行扫描，在每个Vd扫描之后，门极电压Vg步进到下一个数值。传统的只有直流的Vds-id和通过4200-RBT,偏置T型接头的直流IV测试之间的主要区别是SMU的数量。通过偏置T型接头进行的直流IV测试，使用2个SMU[2]，其源和本体连接到地（SMA的同轴电缆屏蔽层）。

Vds–id-pulse测试如图7所示。由于脉冲测试是UTMS（用户测试模块），所以参数是通过图7所示的表格界面来改变的。对于脉冲Vds-id[3]，门极电压不是阶梯的，所以将下一个Vds-id曲线附加到图上之前，必须输入每一个门极电压。

图7.脉冲Vds-id UTM definition选项页

请注意，直流和脉冲测试的参数都可以很容易的进行修改，允许对晶体管行为特性进行交互式观察。下面章节运行Pulse IV测试部分会涵盖运行Vds-id测试的程序。