EPC扩大了 40 V eGaN®FET的产品陈容， 新产品是高功率密度电信、网通和计算解决方案的理想器件

EPC 推出了 40 V、1.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管 （eGaN® FET），器件型号为，专为设计人员而设，EPC2069比目前市场上可选的器件更小、更高效、更可靠，适用于高性能且空间受限的应用。

HYPERLINK 是增强型硅基氮化镓功率晶体管和集成电路的全球领导者。新推的EPC2069（典型值为 1.6 mΩ、40 V）是更高性能的低压器件，可立即供货。

EPC2069 非常适合需要高功率密度的应用，包括48 V-54 V输入服务器。较低的栅极电荷和零反向恢复损耗可实现1 MHz及更高频率的高频操作、高效并在10.6 mm2 的微小占位面积内，实现高功率密度。EPC2069器件可支持48V/12V DC/DC解决方案，范围从 500 W 到 2 kW，效率超过98%。在初级侧和次级侧使用氮化镓（eGaN）器件可实现超过4000 W/in3的最大功率密度。

EPC公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow 表示：“EPC2069器件专为从40 V–60 V转至12 V的LLCDC/DC转换器的次级侧而设计，目前非常普遍用于48 V–54 V输入的服务器，以应对人工智能和游戏等高密度计算应用所需。与上一代40 V GaN FET相比，这款40 V器件的尺寸更小、寄生电感更小和成本更低，从而让设计师实现更高的性能和成本效益”。

开发板的最大器件电压为40 V 、最大输出电流为40A，配备板载栅极驱动器的半桥器件，采用了EPC2069eGaN FET。这款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)。电路板专为实现最佳开关性能而设计，包含所有关键组件，让工程师易于评估EPC2069。

一个2,500颗的卷盘的EPC2069单价为2.73美元，EPC90139开发板的单价为123.75美元，均可从Digi-Key购买 。