当前位置:首页 > 技术学院 > 技术前线
[导读]现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了,氮化镓充电器看起来很小,但是功率一般很大,可以给手机平板,甚至笔记本电脑充电。那么氮化镓到底是什么,氮化镓充电器有哪些优点,下文简单做个分析。

氮化镓和普通充电器的区别

一、氮化镓是什么

氮化镓(GaN)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器方面,主要是集成氮化镓MOS管,可适配小型变压器和高功率器件,充电效率高。


氮化镓和普通充电器的区别

二、氮化镓充电器的优劣势

首先要说明下,氮化镓充电器跟普通充电器相比,只是材料不同,功能几乎无区别。

优点:体积小、安全

与普通半导体的硅材料相比,氮化镓的带隙更宽且导热好,能够匹配体积更小的变压器和大功率电感,所以氮化镓充电器有体积小、效率高、更安全等优势。近来的旗舰手机平板为了实现更快的充电速度,充电器功率都比较大,40W50W充电器非常普遍。更大的充电功率就意味着充电器的尺寸也在变大,并且发热严重。

改用氮化镓技术后,充电器的元器件可以更小,充电器体积大幅缩小;同时氮化镓充电器也能保持高效和低温的工作状态,安全性更好。

劣势:成本高

氮化镓充电器主要缺点是成本高。氮化镓作为新型第三代化合物,合成环境要求很高,从制造工艺上讲,氮化镓没有液态,不能使用单晶硅的传统直拉法拉出单晶,纯靠气体反应合成,在氨气流中超过1000度加热金属镓半小时才能形成粉末状氮化镓,所以氮化镓充电器的成本更高,对应市面上的氮化镓充电器售价也比传统充电器高出一大截。


氮化镓和普通充电器的区别

随着氮化镓技术的普及应用,氮化镓充电器成本可能会逐步降下来,下半年价格应该能回归到百元内。

三、氮化镓充电器的应用发展

相对于手机平板的不断升级换代,配件类的充电器一直少人问津。这次的氮化镓新技术应用,让数码厂商蹭了一波热度。手机品牌商和第三方配件商都在推出自己的氮化镓充电器,前有oppo小米,后有anker绿联,一个多快充协议的65W氮化镓充电器能把手机平板笔记本全部搞定。


氮化镓和普通充电器的区别

除了C端消费电子,氮化镓在5G领域的应用也有很大潜力,5G时代需要很多的微基站和中间设备,这些设备也需要更高效的供电能力,而氮化镓充电器体积小效率高的优势会很明显。

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

【2026年2月10日, 德国慕尼黑讯】氮化镓(GaN)电源解决方案的普及正推动功率电子行业迎来一场重大变革。全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)...

关键字: 功率半导体 氮化镓 物联网

在第三代半导体的版图中,行业似乎早已形成了一种“默契共识”——碳化硅(SiC)主导电动汽车高压主驱,氮化镓(GaN)则局限于消费快充与车载OBC等辅助电源领域——牵引逆变器,是SiC的绝对专属领地。然而,VisIC的Ga...

关键字: 氮化镓 D型GaN VisIC SiC 主驱逆变器 IGBT

随着5G通信、电动汽车快充、数据中心等领域对电源小型化、高效率的需求日益迫切,传统硅基器件已难以突破性能瓶颈。氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体的核心代表,凭借其卓越的电学特性,正重塑开关模式电源(SMPS)的设计理...

关键字: 氮化镓 宽禁带半导体 电源

氮化镓(GaN)基单片微波集成电路(MMIC)功率放大器凭借高击穿电压、宽禁带宽度、高电子迁移率等优势,已成为现代脉冲雷达系统的核心器件。其在高频段(X 波段及以上)可实现高输出功率、高效率和小型化集成,显著提升雷达的探...

关键字: 氮化镓 功率放大器 脉冲雷达

此次合作拓展了安森美功率产品组合,涵盖面向AI数据中心、汽车、航空航天及其他关键市场的高性能650V横向氮化镓(GaN)解决方案。

关键字: 氮化镓 功率器件 AI数据中心

本文详细讨论了GaN技术,解释了如何在开关模式电源中使用此类宽禁带开关,介绍了电路示例,并阐述了使用专用GaN驱动器和控制器的优势。而且,文中展示了LTspice®工具,以帮助理解GaN开关在电源中的使用情况。最后,展望...

关键字: 电源 氮化镓 宽禁带开关

【2025年12月10日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)荣获由全球半导体联盟(以下简称“GSA”)颁发的“欧洲、中东及非洲杰...

关键字: 半导体 氮化镓 以太网

美国国际贸易委员会的最终裁定可能导致英诺赛科涉嫌侵权的产品被禁止进口至美国 该裁决是又一项积极结果,彰显了英飞凌在业界领先的专利组合的价值 氮化镓 (GaN) 在实现高性能、高能效功率系统方面发挥着关键作用...

关键字: 英飞凌 专利侵权 BSP 氮化镓

此次合作将建立高产能、成本优化的全球 GaN 制造体系,加速高能效功率器件的市场部署

关键字: 氮化镓 功率器件 驱动器

【2025年11月28日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE 代码:IFX / OTCQX 代码:IFNNY)宣布与领先的快充电源设备制造商安克(Anker)扩大合作,共同开...

关键字: 充电器 氮化镓 数字控制器
关闭