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[导读]本图是由NE555等构成的凋频电路,通过改变NE555自激多谐振荡器的充电电流即可进行频率调制。该电路是用VT1和VT2构成电流密勒电路的,可在充电电路中产生充电电流,电流大小由R1和RRP1决定。低频调制信号与偏置电流IB

本图是由NE555等构成的凋频电路,通过改变NE555自激多谐振荡器的充电电流即可进行频率调制。该电路是用VT1和VT2构成电流密勒电路的,可在充电电路中产生充电电流,电流大小由R1和RRP1决定。低频调制信号与偏置电流IB叠加后便振荡频率发生改变。电流密勒电路尽量选用对管。

由ME555等构成的调频电路图

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