当前位置:首页 > 嵌入式 > 嵌入式动态
[导读]继三星旧金山闪存峰会上宣布,推出新V-NAND单晶粒,容量1Tb后,不少同行科技人员表示,这不过是三星的QLC闪存,只不过换了说辞,它比TLC的存储密度更大,但相应的牺牲寿命和读写。

继三星旧金山闪存峰会上宣布,推出新V-NAND单晶粒,容量1Tb后,不少同行科技人员表示,这不过是三星的QLC闪存,只不过换了说辞,它比TLC的存储密度更大,但相应的牺牲寿命和读写。

三星追逐QLC既是技术的发展,也是市场的需要。

 

据TOMH掌握的内部资料,三星将从970开始去掉EVO/PRO的后缀命名,此前,PRO代表高端,采用MLC,EVO稍微亲民些采用TLC。

970/980系列将全部采用3D TLC闪存,64层堆叠设计,支持NVMe。

推出时间方面,预计在2017年底到2018年初。

 

去年的960 PRO凭借连续读取3500 MB/s,写入2100 MB/s成为最快的消费级SSD。换用TLC后,在自家Polaris主控的帮助下,980系列速度至少持平,当然,也可能会有不少进步,只是这可靠性方面,估计要打个折扣。

具备生产能力的三星,自己放弃MLC颗粒在高端消费级的推出,这也意味着今后MLC产品在大众市场出现的机率将越来越低,即使是有,价格应该也会高得离谱。

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

9月4日消息,据媒体报道,SK海力士员工今年将发放约3万亿韩元的奖金,每位员工将获得超过1亿韩元(约合人民币51.3万元)的奖金。

关键字: SK海力士 DRAM 三星

8月21日消息,今天高通正式推出第二代骁龙W5+和第二代骁龙W5可穿戴平台,这是全球首批支持NB-NTN卫星通信的可穿戴平台。

关键字: 高通 三星 谷歌

8月7日消息,苹果公司宣布,三星电子位于得克萨斯州的工厂为包括iPhone在内的苹果产品供应芯片。苹果在声明中称,该工厂将供应能优化苹果产品(包括iPhone设备)功耗与性能的芯片。”对此,三星发言人拒绝发表评论。

关键字: 三星 存储芯片 DRAM

8月6日消息,据媒体报道,作为全球最早量产HBM4的存储器制造商,SK海力士正为AI芯片提供关键解决方案。依托与英伟达的独家供应链关系及自身技术领先地位,SK海力士计划提高HBM4售价,预计相比HBM3E溢价可能高达70...

关键字: QuestMobile AI搜 百度 夸克 SK海力士 DRAM 三星

8月3日消息,内存一哥三星在HBM技术栽了跟头,输给了SK海力士,错失几万亿美元的AI市场,但是三星现在要杀回来了。

关键字: 三星 存储芯片 DRAM

8月3日消息,近日,特斯拉与三星达成了一项价值165亿美元的芯片制造协议,根据协议,三星将为特斯拉生产下一代人工智能芯片,这些芯片将用于电动汽车和机器人。

关键字: 特斯拉 三星

7月29日消息,LG Display已将其在美国的70项LCD液晶显示器相关专利转让给三星显示,值得注意的是,三星显示已于三年前退出LCD业务。

关键字: LCD 三星

7月28日消息,据媒体报道,三星电子与特斯拉达成了一项价值高达165亿美元的芯片制造协议。知情人士透露,三星周一宣布获得价值22.8万亿韩元(约合165亿美元)的芯片制造合同,客户正是与其代工部门已有业务往来的特斯拉。

关键字: 三星 存储芯片 DRAM

当地时间本周一,韩国巨头三星电子向监管机构提交的一份文件显示,该公司已与一家大公司签订了一份价值165亿美元的芯片代工大单。

关键字: 三星 存储芯片 DRAM

7月22日消息,据媒体报道,三星决定推迟1.4nm工艺商用时间,全力提升2nm工艺的产能和良率。

关键字: 三星 存储芯片 DRAM
关闭