[导读]飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出高频光隔离MOSFET栅极驱动器系列的全新产品,能够在工业应用中驱动高达30A/1200V的MOSFET。FOD3180(2A)和FOD3181(0.5A)具有200ns(最大)的上升/下降时间,能够迅速开启
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出高频光隔离MOSFET栅极驱动器系列的全新产品,能够在工业应用中驱动高达30A/1200V的MOSFET。FOD3180(2A)和FOD3181(0.5A)具有200ns(最大)的上升/下降时间,能够迅速开启/关断MOSFET以减小开关损耗。FOD3180具有高达2A的峰值输出电流,毋须额外的功率放大线路便可直接驱动宽范围的MOSFET。在太阳能逆变器、高性能不间断电源(UPS)、DC/DC转换器,以及等离子平板显示器(PDP)等应用中,这些隔离MOSFET驱动器是提高系统效率和可靠性的最佳选择。它们还丰富了飞兆半导体提供的功率优化产品,为设计人员提供从毫瓦至千瓦的全面解决方案。
飞兆半导体光电产品战略市场经理JohnConstantino称:“FOD3180和FOD3181光隔离MOSFET栅极驱动器为飞兆半导体领先业界的功率产品系列提供了关键的‘隔离器件’,将低功耗逻辑产品与高功率分立MOSFET桥接起来。飞兆半导体的整体功率解决方案使设计人员能够利用我们通过全球功率资源中心(GlobalPowerResourceTM)提供的在线设计工具、设计中心、评估板以及其它技术,对其供应链进行精简化。”
FOD3180和FOD3181的其它可靠性功能包括:5000V的额定隔离电压可以满足大多数安全认证标准;在电压达到使能状态时才导通的欠压闭锁功能,从而保护MOSFET;以及具有故障防护绝缘的共面结构。这些器件还具有较宽的工作电压(最大20V),而且其PMOS上拉晶体管和NMOS下拉晶体管提供17V的信号摆幅(VCC-VEE)。
FOD3180和FOD3181备有8脚DIP封装形式,可满足包括260C回流焊功能的RoHS要求。这些无铅产品能达到或甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。
本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
传统上,耗尽型 MOSFET 被归类为线性器件,因为源极和漏极之间的传导通道无法被夹断,因此不适合数字开关。这种误解的种子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年发明了第一个耗尽型 MOSFET——只...
关键字:
MOSFET
数字开关
为了最大限度地减少开关阶段的功耗,必须尽快对栅极电容器进行充电和放电。市场提供了特殊的电路来最小化这个过渡期。如果驱动器可以提供更高的栅极电流,则功率损耗会降低,因为功率瞬态的峰值会更短。一般来说,栅极驱动器执行以下任务...
关键字:
栅极驱动器
MOSFET
在设计功率转换器时,可以使用仿真模型在多个设计维度之间进行权衡。使用有源器件的简易开关模型可以进行快速仿真,带来更多的工程洞见。然而,与制造商精细的器件模型相比,这种简易的器件模型无法在设计中提供与之相匹敌的可信度。本文...
关键字:
英飞凌
MOSFET
该稳压器内置一个MOSFET和一个续流二极管,MOSFET提供交流发电机励磁电流,当励磁关闭时,续流二极管负责提供转子电流。发电机闭环运行具有负载响应控制 (LRC)和回路LRC控制,当车辆的整体电能需求不断变化时,使输...
关键字:
意法半导体
稳压器
MOSFET
续流二极管
2022年乐瓦微推出新一代-60V P 沟道 SGT MOSFET系列产品,性能达到行业领先水平。P 沟道 MOSFET采用空穴流作为载流子,其迁移率小于N沟道 MOSFET 中的电子流,独特的栅极负压开启机制,使其成为...
关键字:
MOSFET
栅极驱动
在上一集中观察到的双极晶体管的缺点是开关时间太长,尤其是在高功率时。这样,它们不能保证良好的饱和度,因此开关损耗是不可接受的。由于采用了“场效应”技术,使用称为 Power-mos 或场效应功率晶体管的开关器件,这个问题...
关键字:
电力电子
MOSFET
IGBT
这有点像灰姑娘或丑小鸭的童话故事:多年来,各种类型、大小和速度的处理器都是一般媒体关注的迷人主题以及主要的研发投资。与此同时,功率器件——主要是基于硅的 MOSFET 和 IGBT——显然被低估了,并且作为本应乏味的功率...
关键字:
功率器件
栅极驱动器
碳化硅 (SiC) 因其更高的开关频率和更高的结温而被称为汽车行业传统 Si IGBT 器件的继承者。此外,在过去五年中,汽车行业已成为基于 SiC 的逆变器的公共试验场。事实证明,通过 SiC 转换器实现 DC 到 A...
关键字:
碳化硅 (SiC)
MOSFET
工业电源应用基于强大的电动机,可以在风扇、泵、伺服驱动器、压缩机、缝纫机和冰箱中找到。三相电动机是最常见的电动机类型,它由适当的基于逆变器的驱动器驱动。它可以吸收一个行业高达 60% 的全部电力需求,因此对于驱动器提供高...
关键字:
Si
MOSFET
工业电源
本文追溯了电力电子的历史,可追溯到硅MOSFET仍用于驱动强大的电子负载时。让我们通过描述、应用和模拟重新发现硅的世界,了解电子世界是如何在短短几年内发生巨大变化的,因为新的 SiC 和 GaN MOSFET 的发现和开...
关键字:
MOSFET
GaN
SiC
与低功率同类产品不同,MOSFET、IGBT、功率二极管和晶闸管等功率器件会产生大量热量。因此,有效的热管理对于确保电力电子设备的可靠性和优化的寿命性能至关重要,包括由更高工作温度、宽带隙 (WBG) 半导体材料制成的设...
关键字:
MOSFET
IGBT
冷却系统
今天的汽车配备了种类繁多的电子配件和电子安全辅助装置,使车辆更具吸引力、更安全和更易于使用。此外,传统的液压系统(如动力转向和自动变速箱)正在被电动等效系统取代,以帮助减轻整体重量并提高燃油经济性。
关键字:
预驱动器
MOSFET
电力设计是由市场需求驱动的,以提高效率和生产力,同时符合法规要求。最重要的最终用户需求几乎总是更小、更轻、更高效的系统,这得益于功率半导体设计的重大创新。在硅 MOSFET 和 IGBT 长期以来一直在功率半导体中占据主...
关键字:
碳化硅
MOSFET
2022年3月24日,世强硬创平台与成都方舟微电子有限公司(下称“方舟微“)签署合作协议,方舟微授权世强硬创平台代理旗下耗尽型MOSFET、增强型MOSFET和保护器件等全线产品。
关键字:
世强
MOSFET
保护器件
在几家造车新势力高调推出搭载碳化硅芯片模组的主驱逆变器大功率平台电动汽车后,中国功率半导体上车进程开始进入白热化,电车厂纷纷加快碳化硅模块的研发及布局。
关键字:
世强
碳化硅
MOSFET
宜普电源转换公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2066),为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面积受限的应用。
关键字:
宜普电源转换公司
场效应晶体管
MOSFET
【2022 年 05 月 26 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布推出创新高电流、高热效率且符合电动车 (EV) 产品应用需求的功率封装 PowerDI®8080-...
关键字:
Diodes
MOSFET
汽车应用
e络盟进一步扩大其Power Integrations解决方案产品组合,现可快速交货45款高功率产品
关键字:
e络盟
栅极驱动器
LED照明
在线性模式工作时,MOSFET必须在恶劣工作条件下工作,承受很高的漏极电流(ID)和漏源电压 (VDS),然后还需处理很高的功率。这些器件必须满足一些技术要求才能提高耐用性,还必须符合热管理限制,才能避免热失控。
关键字:
意法半导体
MOSFET
漏极电流