e络盟现货开售Power Integrations系列高功率产品

中国上海，2022年5月24日 – 安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟引入Power Integrations系列高功率栅极驱动器，进一步扩大其功率产品阵容，均可快速交付。

Power Integrations高功率产品系列包括：

· SCALE™-2：即插即用

· ISO5125I：DC-DC电源

· SCALE-2：Driver Core驱动核

· SCALE-2+：Driver Core 驱动核

· SCALE-iDriver™：符合AEC-Q100标准的IC

Power Integrations高功率产品系列可为设计人员提供用于绝缘栅双极晶体管(IGBT)的即插即用型栅极驱动器，具备600 V到6500 V的阻断电压，且每通道输出功率为1 W到20 W。除了IGBT，这些产品还能驱动MOSFET和SiC MOSFET等常规功率器件。SCALE 栅极驱动器是大功率系统的关键组件，广泛适用于太阳能和风能、工业电机驱动装置、汽车、电动汽车、铁路应用以及高压直流输电线路等领域。

Power Integrations驱动器IC和内核中集成了通用型栅极驱动技术，可驱动各种即插即用型驱动器，包括大量高压和大功率栅极驱动模块。其所有即插即用型驱动器都配备了DC-DC转换器、短路保护、有源钳位、电源监控等功能。

e络盟现可快速交付的Power integrations高功率产品组合主要包括：

· 即插即用、内核和IC产品

o SCALE-2即插即用IGBT栅极驱动器1SP0335：该IGBT栅极驱动器配备用于IGBT模块的独立电源装置，提供光纤接口选项及+15 V(稳压)/ - 10 V栅极驱动电压。它支持两电平和多电平拓扑，具有动态IGBT短路保护和高级动态有源钳位功能。1SP0335驱动器能够安全可靠地驱动隔离电压为10.2 kV、阻断电压为3.3 kV到6.5 kV的IGBT模块。该驱动器针对铁路领域的高可靠性应用进行了优化，并采用了主/从概念的驱动器结构，可安全地操作并联的IGBT模块。匹配的驱动器可适配所有机械上兼容的IGBT模块。即插即用配置可实现安装后立即使用，无需再耗费时间为特定应用设计或调试驱动器。ISO5125I DC-DC转换器提供多种隔离电压，以全面支持使用了3.3 kV到6.5 kV的IGBT模块的两电平到多电平拓扑应用。

o SCALE-2即插即用栅极驱动器1SP0635：该IGBT栅极驱动器配备板载DC-DC电源，提供光纤接口选项及+15 V(稳压)/ - 10 V栅极驱动电压。它支持两电平和多电平拓扑，具有动态IGBT短路保护和高级动态有源钳位功能。1SP0635驱动器能够安全可靠地驱动隔离电压为6.05 kV、阻断电压高达3.3 kV的IGBT模块。该驱动器针对铁路领域的高可靠性应用进行了优化，并采用了主/从概念的驱动器结构，可安全地操作并联的IGBT模块。匹配的驱动器可适配所有机械上兼容的IGBT模块。即插即用配置可实现安装后立即使用，无需再耗费时间为特定应用设计或调试驱动器。

o 2SP0115T双通道SCALE-2：一款超紧凑的即插即用驱动器，适用于标准的17 mm IGBT模块。该驱动器配有电气接口和内置DC-DC电源。应用包括风能转换器、工业驱动、UPS、功率因数校正器、牵引、铁路电源、焊接、放射和激光技术、SMPS、科研等领域。

o 2SP0320双通道SCALE-2：外型紧凑的即插即用驱动器，适用于1200和1700 V的PrimePack™ IGBT模块。该栅极驱动器配有电气或光纤接口选项并内置DC-DC电源，可支持多个IGBT模块并联以实现两电平、三电平和多电平拓扑应用。其主要特性包括可靠性高、使用寿命长且易于集成，有利于缩短应用开发周期。

o SCALE-2驱动核：Power Integrations的栅极驱动器内核具备驱动器所有常用功能，可提供高度灵活的解决方案。IGBT驱动核的阻断电压为600 V - 6500 V，每通道输出功率为1 W - 20 W。它们还适用于驱动功率MOSFET以及其他开关频率高达500 kHz的新型半导体(SiC)器件。

o SCALE-iDriver IC：该系列IC是高度集成的单通道IGBT和SiC MOSFET栅极驱动器，采用标准eSOP™封装，同时使用Power Integrations创新的固体绝缘FluxLink™技术实现了增强的电流隔离能力。FluxLink技术可省去短寿命光电器件和相关补偿电路，从而提高了系统运行的稳定性，同时降低了系统的复杂性。

· 汽车应用

o SCALE- iDriver：SCALE-iDriver IC符合AEC-Q100标准，可用于驱动650 V、750 V和1200 V的车规级IGBT和SiC-MOSFET模块。其他主要特性还包括：满足 5000米海拔标准的1200 V加强隔离、9.5 mm爬电距离、薄型2.67 mm封装和双向通信。

Farnell及e络盟产品和供应商管理副总裁Simon Meadmore表示：“我们很高兴能够为客户提供Power integrations的全系列高功率产品，包括各种车规级应用产品。新增系列产品使得我们能为更多客户提供支持，例如那些需要为电动汽车和插电式混合动力汽车应用提供最新电源解决方案的设计人员。”

“同时，e络盟也在为SiC和MOSFET新兴应用储备产品，以应对市场迅猛发展的需求。通过扩充Power Integrations高功率产品系列，我们将可以帮助客户保持竞争优势，助力他们更快地将创新解决方案推向市场。” Simon Meadmore补充道。

Power Integrations是全球高压电源转换半导体技术的领先创新者。其集成电路可为智能手机、家电、智能家居和商业自动化、智能电表、LED照明及工业和物联网应用中的众多电子产品设计出小巧紧凑的高能效AC-DC电源。该公司还提供PI Expert™ Online自动化电源设计软件，可支持硅MOSFET和PowiGaN器件。这款Web应用可根据输入的基本参数生成完整的原理图、磁性器件设计和物料清单(BOM)，从而加快设计过程。

设计工程师可通过e络盟选购更加全面的半导体产品组合，还可以免费访问e络盟网站上的在线资源、数据表、应用说明、视频和网络研讨会。

客户现可通过Farnell(欧洲、中东和非洲)、e络盟(亚太地区)和Newark(北美地区)购买Power Integrations系列高功率产品，均支持快速发货。