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台系业者投入砷化镓晶圆代工领域
时间：2011-01-14 14:09:01
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[导读]目前台系砷化镓(GaAs)晶圆代工厂多耕耘HBT(HeterojunctionBipolarTransistor)以及pHEMT(PseudomorphicHighElectronMobilityTransistor)制程。砷化镓HBT的特性在于线性度与高电流增益，具功率放大倍率佳、待机耗电流低
目前台系砷化镓(GaAs)晶圆代工厂多耕耘HBT(HeterojunctionBipolarTransistor)以及pHEMT(PseudomorphicHighElectronMobilityTransistor)制程。砷化镓HBT的特性在于线性度与高电流增益，具功率放大倍率佳、待机耗电流低、低相位杂讯、单电源设计、体积小等特色。而主要应用端含盖手机、无线网路、蓝芽、基地台、光纤通讯、卫星通讯等。另外，pHEMT其优点则包含有超高频(高频操作可达100GHz以上)及低杂讯等特性，低射频杂讯、高频率响应、高切换速度与高功率操作，在高功率基地台、低杂讯放大器及RFSwitch上十分重要。
化合物半导体在通讯应用市场上已占其重要且难以取代的地位，目前随著高资料量传输的需求成长下，未来砷化镓元件市场成长可期。现阶段，台系供应链中，除宏捷科技以及稳懋半导体等业者外，联电集团的联电新投资事业公司也成立联颖光电加入市场。
化合物半导体在通讯应用市场上已占其重要且难以取代的地位，目前随著高资料量传输的需求成长下，未来砷化镓元件市场成长可期。现阶段，台系供应链中，除宏捷科技以及稳懋半导体等业者外，联电集团的联电新投资事业公司也成立联颖光电加入市场。
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