砷化镓智能芯片项目落户山西，投资规模超10亿

据业内信息，近日在山西太原举行了太忻一体化经济区推介会，大约有十几个合作项目签约成功，其中第2代半导体砷化镓面射型智能应用芯片研发生产项目落户山西，总投资规模超10亿元。

砷化镓(GaAs)是第二代半导体材料，拥有电子迁移率高的特点，不同于第三代半导体击穿场强、功率密度高的特点，因此适合做光芯片。三代半导体各有各的特点和应用场景，并不是进化关系。

第二代半导体大约在上世纪六十年代进入实用阶段，砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。

用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，同时还可以用于制作转移器件比如体效应器件。GaAs是半导体材料中具有多方面优势的存在，但是其晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件，而且其制作工艺要求很高。

本次投资规模超十亿的砷化镓面射型智能芯片主要应用于5G通信和消费市场的各类智能人工智能产品。这次会议签署的项目总投资额约为64亿元，包含各类高端装备制造、电子信息、新材料、现代服务业等领域。

本次签署还有其他的签署项目，比如主要用于智能汽车的车灯和消费市场LED照明设备的纳米车灯芯片研发生产项目，投资3亿年产量20万套设备;还有总投资超过8亿的超薄蓝晶体玻璃滤光片生产项目等。