2011年NAND闪存市场七大趋势预测

时间：2010-12-30 13:28:28

关键字：闪存市场趋势预测 NAND闪存三星

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[导读]2011年的NAND闪存市场将会发生哪些情况？以下是投资银行BarclaysCapital分析师C.J.Muse所预测的该市场七大发展趋势：1.2011将是NAND闪存年Muse认为，2011年将是属于NAND的年份；明年3x奈米将是主流制程，2x纳米也将扬

2011年的NAND闪存市场将会发生哪些情况？以下是投资银行BarclaysCapital分析师C.J.Muse所预测的该市场七大发展趋势：

1.2011将是NAND闪存年

Muse认为，2011年将是属于NAND的年份；明年3x奈米将是主流制程，2x纳米也将扬眉吐气。不过该市场将呈现双头寡占的状态，由三星(Samsung)与东芝(Toshiba)/Sandisk两大厂商总计囊括近75%的生意(市占率分别为40%与33%)。2011年NAND厂商的资本支出规模也将首度超越DRAM厂商。

2.苹果效应

平板装置风潮将带来庞大的NAND需求量；半导体设备业者应用材料(AppliedMaterials)曾预估，将需要一座月产能200kwspm的初始晶圆厂，才能因应预期中的需求。光是苹果(Apple)本身，其明年需求量就可能是今年的两倍，甚至还有可能达到三倍──因为该品牌所有的Macbook笔记型计算机现在都是采用固态硬盘(SSD)。

3.是领导者也是跟随者的三星

NAND制造商正朝着2x奈米制程节点迈进，而各家厂商不太相同，三星(Samsung)是27奈米，美光(Micron)是25纳米，东芝是24纳米，海力士(Hynix)则是26纳米。其中三星无疑是产量与获利之王，但却不一定是NAND制程技术的领先者。

在多层单元(multilayercell)制造技术上，三星的起步较晚，但现在该公司已经同时具备3x纳米与2x纳米技术能力；三星2011年将迈入27纳米制程节点，将让产品成本比3x纳米制程降低35%。此外该公司也预期，到2010年底，3x纳米制程将可微缩至80%以下。

4.要感谢东芝…

由于先前的东芝厂停电问题，NAND闪存明年第一季的价格可望上扬，也许幅度不是很大，但至少有助于该市场在2011年1~2的维持价格稳定；该停电事件大约让生产在线20%的产品受到影响。

5.东芝平板装置效应？

东芝目前正积极量产32/24纳米制程，也发表了自有品牌的平板装置；该公司是在2010年8月开始量产24奈米制程，其7月份开始兴建的新晶圆厂Y5将在明年春天就绪。不过该厂并不像英特尔(Intel)的18吋晶圆厂D1X，不支持EUV微影设备。

6.海力士再起

海力士一直以来都遭遇棘手的良率问题，包括在6x纳米与4x纳米制程节点，但该公司最近的良率已经大幅改善，在3x纳米与2x纳米领域甚至晋身领导级厂商；其逆境求生的本能与优良的管理策略令人惊艳。

目前海力士正在进行3x纳米制程的转换，接下来很快就会迈进2x纳米制程，时程约在2011年中；该公司2010年的产能可望增加30kwspm，2011年估计将再成长3万片，不过得看他们是否能在衰弱的财务状况中，拿出额外的资本支出。

7.美光力争上游(不包括英特尔)

最近美光公布2011年资本支出规模约在24~29亿美元之间，其中有三分之二是花在IMFlash新加坡(IMFS)的量产；该公司计划在2011年底将IMFS的产能再提升六成，达到10万片晶圆的月产能。

美光与英特尔在IMFS的持股本来各半，前者最近将持股比例提升到71%；IMFS采用的是2位MLC架构，应该优于东芝与三星所开发的3位MLC。美光预期在2011年完成转换至25奈米制程。