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2011年全球DRAM产能位成长率达58.8%成长幅度大于2010年49.4%
时间：2010-12-22 13:30:52
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[导读]2009年第2季全球景气在历经金融海啸冲击后自谷底逐季攀升，DRAM价格亦伴随景气回复同步自谷底走扬。2006年以来，包括台、美、日等DRAM厂即因DRAM价格持续下跌而处于长期亏损窘境，在金融海啸期间，更因不耐景气严寒，
2009年第2季全球景气在历经金融海啸冲击后自谷底逐季攀升，DRAM价格亦伴随景气回复同步自谷底走扬。
2006年以来，包括台、美、日等DRAM厂即因DRAM价格持续下跌而处于长期亏损窘境，在金融海啸期间，更因不耐景气严寒，除削减资本支出，停止原先扩厂计划外，亦先后采取减产、裁员、关厂等策略因应，为的就是保有手中现金部位。
至2009年第4季前，DRAM厂商对景气展望仍相当保守，加上缺乏足够现金部位提供购料投片，即使面对来自PC市场需求逐季升温，DRAM供给增加亦相对有限，这也是DRAM价格自2009年第2季至2010年第2季得以维持将近5季荣景的重要原因。
然而，2010年第2季以来，先有三星电子(SamsungElectronics)宣布26兆韩元的投资计划，率先将30奈米制程导入量产，并大幅扩展内存产能，加上欧债风暴影响，来自PC市场对DRAM的需求顿时减弱，两大因素亦使得DRAM价格加速下滑，1GbDDR3现货价从2010年第2季3.08美元跌至2010年第4季1.16美元，跌幅达62%，且至12月都尚未见到止跌回稳的迹象。
事实上，除三星外的主要DRAM厂在产能扩充的脚步都显得相当保守，但随先进制程占产出比重提高，产?郧拑M出现明显成长，以65奈米制程升级至50奈米制程，产能即可增加50%。从50奈米制程转换至40奈米制程，产能将更进一步成长45%。
包括美光、南科、华亚科、瑞晶、尔必达等DRAM大厂，45/40奈米制程产能将于2011年大量开出，且先进制程占营收比重将会逐季提高，这意味着2008年下半以来DRAM控制产能扩张的时期将告一段落，转而进入透过制程升级来扩张产能的新时期，这也将会是影响2011年全球DRAM市场景气荣枯的最关键因素。
2006年以来，包括台、美、日等DRAM厂即因DRAM价格持续下跌而处于长期亏损窘境，在金融海啸期间，更因不耐景气严寒，除削减资本支出，停止原先扩厂计划外，亦先后采取减产、裁员、关厂等策略因应，为的就是保有手中现金部位。
至2009年第4季前，DRAM厂商对景气展望仍相当保守，加上缺乏足够现金部位提供购料投片，即使面对来自PC市场需求逐季升温，DRAM供给增加亦相对有限，这也是DRAM价格自2009年第2季至2010年第2季得以维持将近5季荣景的重要原因。
然而，2010年第2季以来，先有三星电子(SamsungElectronics)宣布26兆韩元的投资计划，率先将30奈米制程导入量产，并大幅扩展内存产能，加上欧债风暴影响，来自PC市场对DRAM的需求顿时减弱，两大因素亦使得DRAM价格加速下滑，1GbDDR3现货价从2010年第2季3.08美元跌至2010年第4季1.16美元，跌幅达62%，且至12月都尚未见到止跌回稳的迹象。
事实上，除三星外的主要DRAM厂在产能扩充的脚步都显得相当保守，但随先进制程占产出比重提高，产?郧拑M出现明显成长，以65奈米制程升级至50奈米制程，产能即可增加50%。从50奈米制程转换至40奈米制程，产能将更进一步成长45%。
包括美光、南科、华亚科、瑞晶、尔必达等DRAM大厂，45/40奈米制程产能将于2011年大量开出，且先进制程占营收比重将会逐季提高，这意味着2008年下半以来DRAM控制产能扩张的时期将告一段落，转而进入透过制程升级来扩张产能的新时期，这也将会是影响2011年全球DRAM市场景气荣枯的最关键因素。
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