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三星35纳米4Q出击台DRAM厂以卵击石

时间：2010-09-21 10:56:00

关键字： DRAM 三星 PC GB

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[导读]三星电子(SamsungElectronics)制程微缩持续踩油门，继46纳米制程大量供货，下世代35纳米制程将在第4季试产，目标2010年底占总产能达10%，由于从35纳米跳到46纳米估计成本可再下降30%，届时台、韩DRAM之战将形成以卵击

三星电子(SamsungElectronics)制程微缩持续踩油门，继46纳米制程大量供货，下世代35纳米制程将在第4季试产，目标2010年底占总产能达10%，由于从35纳米跳到46纳米估计成本可再下降30%，届时台、韩DRAM之战将形成以卵击石，加上台厂新产能大量产出时间点亦多落在第4季，面对产能将大量开出，近期DRAM价格跌不停，特别是DDR3eTT已传出通路商价格杀至1.7美元，较同容量DDR2价格还要低。

近期DRAM合约价及现货价均呈现极度疲软，尤其在传统旺季是相当少见情况，甚至有点呼应三星日前所提出DRAM产业将供过于求论调，台、美、日DRAM业者气势都相当疲弱，似乎对于三星频出招重击动作毫无招架之力。DRAM业者表示，三星提出到2011年第1季以前都供过于求论调，其实有迹可循，除第3季PC旺季不旺，第4季能见度不佳，三星最新一代35纳米制程即将问世，更是DRAM产业重要杀手，业界都相当担心三星推出35纳米制程后，将再次展开大杀价。

DRAM业者指出，目前三星主力制程是46纳米，已比台厂快上1个世代，南亚科和华亚科50纳米才刚要量产，力晶和瑞晶还停留在63纳米，至于45纳米才刚要准备起跑，三星不仅在46纳米远远领先台厂，更计划第4季试产35纳米制程，目标是2010年底占总产能10%。

值得注意的是，三星35纳米制程比46纳米成本再下降30%，2Gb容量DDR3成本趋近1美元，下降速度相当惊人，2011年35纳米将成为三星主力制程，预计2011年第3季可超过总产出50%，届时南亚科和华亚科阵营即使是以42纳米与三星对打，力晶和瑞晶阵营以45纳米应战，都将是以卵击石。

存储器业者表示，9月DRAM合约价大跌近10%，让DRAM业者士气低落，部分因素是9月有季底作帐压力，大部分客户不愿拿货，造成价格反应较激烈，随著合约价下修，现货价亦难独撑大局，台面上DDR3eTT价格虽还有2美元，但私下交易已跌破2美元，甚至传出已杀至1.7美元，第4季供给端杀手除三星35纳米问世，台厂制程微缩产能亦多数在第4季到2011年第1季期间大量出货，对价格杀伤力不容小觑，要扭转颓势必须靠PC需求回笼。

台DRAM厂表示，当DRAM价格下修到某种程度，过去PC厂从4GB容量模块砍到2GB容量策略，或许会出现逆转，若搭载存储器主流容量能够以4GB起跳，配合PC出货量升温，大量消耗DRAM产能，将是挽救摇摇欲坠DRAM价格最健康方式。