FinFET进展超前 台积电飙速甩三星

尽管已经名列全球第一，然而在三星、英特尔等其他晶圆厂的压力之下，台积电仍不敢稍有松懈，不断发展更先进的制程技术。近期台积电已经对外宣示，其FinFET（鳍式场效电晶体）、极紫外光（EUV）等新技术研发及投产进度，已经全部进度拉前。未来在与对手的竞争上，将有更大本钱。



其实，台积电新制程技术发展进度提前，有两个重要意义，一是技术的研发有所突破，二是与三星及英特尔的竞赛上，手上将握有更多致胜武器。

据了解，台积电原本预计2015年后才能跨入16奈米FinFET制程，但现在已确定今年底就可开始以FinFET制程试产16奈米晶圆。这也意味著明年台积电就将全面跨入16奈米FinFET世代，比起预期的时间，整整提早一年。

什么是FinFET

FinFET称为鳍式场效电晶体（Fin Field-Effect Transistor）是一种新的互补式金属氧化半导体（CMOS）的电晶体种类。由于Fin是鱼鳍的意思，而FinFET也就根据电晶体的形状与鱼鳍的相似性来命名。

在2011年初，英特尔公司推出了商业化的FinFET制程技术，并使用在其22奈米晶圆的量产上。从Intel Core i7-3770之后的22奈米处理器，都使用了FinFET技术。由于FinFET具有功耗低，面积小的优点，使得台积电（TSMC）等等主要晶圆代工厂也纷纷投入发展自有的FinFET电晶体技术，为下一代的行动处理器提供更快，更省电的优势。而从2012年起，FinFET已经开始向20奈米节点和14奈米节点推进。