[导读]美国晶圆代工巨头GLOBALFOUNDRIES于2012年9月20日发布了用于移动终端等配备的14nm级SoC(System on a Chip)的工艺“14XM(eXtreme Mobility)”(英文发布资料)。将采用三维构造的Fin FET取代20nm级之前的平面构造
美国晶圆代工巨头GLOBALFOUNDRIES于2012年9月20日发布了用于移动终端等配备的14nm级SoC(System on a Chip)的工艺“14XM(eXtreme Mobility)”(英文发布资料)。将采用三维构造的Fin FET取代20nm级之前的平面构造MOS晶体管。采用14nm工艺的客户产品预定在2013年送厂生产(tape-out),2014年开始量产。
预定加快微细化速度,2014年开始量产
14nm工艺以20nm低功耗工艺(20LPM)为基础进行开发。在沿用高介电常数(high-k)栅极绝缘膜和金属栅极技术以及布线技术的同时,引进了可实现高速节能的Fin FET。据介绍,与20nm低功耗工艺相比,在电源电压相同的条件下,14nm工艺可将晶体管的工作速度提高20~55%,在工作速度相同的条件下,可将配备14nm SoC的终端电池寿命延长40~60%。
目前,GLOBALFOUNDRIES正在美国纽约州的新工厂“Fab8”试制采用14nm工艺的芯片。据悉,可供应初期的工艺设计套件(PDKs,Process Design Kits)。另外,预定2012年下半年开始提供20nm工艺。(记者:大下 淳一,《日经电子》)
以20nm低功耗工艺为基础进行开发(点击放大)
有利于实现高速节能(点击放大)
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