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[导读]化学机械研磨垫(CMP)将大幅擢升先进制程良率。随着半导体制程技术节点持续进化至28、20奈米(nm),晶圆制造业者对于研磨垫的缺陷率、移除率等要求亦更加严苛,并相关材料业者加速高阶研磨垫研发时程,以满足市场需求。

化学机械研磨垫(CMP)将大幅擢升先进制程良率。随着半导体制程技术节点持续进化至28、20奈米(nm),晶圆制造业者对于研磨垫的缺陷率、移除率等要求亦更加严苛,并相关材料业者加速高阶研磨垫研发时程,以满足市场需求。

陶氏化学电子材料半导体技术部门大中华地区暨东南亚总经理陈俊达指出,为更贴近主要客户的需求,陶氏化学电子材料主要的生产基地与研发单位皆设立于台湾。
陶氏化学电子材料半导体技术部门大中华地区暨东南亚总经理陈俊达表示,尽管摩尔定律(Moore's Law)使半导体技术飞快进步,却也因制程不断精进而造成晶圆制造业者在良率提升方面日益艰辛。尤其是现今半导体设备支出随着新的技术节点发展,其投资金额也越来越庞大,如何协助晶圆制造业者提升制程良率,并降低生产成本已成为材料供应商胜出市场的关键因素。

陈俊达进一步指出,透过材料与半导体制程技术搭配与结合,已是产业持续精进的主要动力,例如藉由先进化学机械研磨垫与研磨液为晶圆进行高效率抛光,将有助提升制造良率,且花费金额亦比造价不菲的半导体设备便宜许多,可显著降低生产成本。

为因应此一市场需求,陶氏化学运用高分子聚合物领域的专业,开发出全新研磨垫产品--IKONIC,可降低晶圆瑕疵率、并提升研磨垫与设备使用寿命。此一研磨垫亦支援包括铜(Cu)、钨(W)、介电质层(ILD)、浅沟渠隔离(STI)等多项半导体制程,其材质结合独特的化学特性与特定范围的硬度和孔隙率,可提升研磨垫的使用效益。

此外,IKONIC研磨垫的设计还能大幅降低瑕疵率,以达到更高的晶圆良率,并透过上述特性延长研磨垫与设备的使用寿命,同时满足化学机械研磨垫在制程上的移除率要求,进而提高晶圆产能效率。

事实上,陶氏化学研磨垫产品针对客户需求,迄今已经历IC1000、V??ISIONPAD与IKONIC等三个阶段;而IKONIC除了是专门针对28、20奈米所研发的产品外,不同于之前系列的研磨垫,IKONIC为可调试的平台,能针对每间晶圆制造业者对先进制程的不同需求,提供客制化的技术和服务,进而提升生产良率。

据悉,目前IKONIC正处于测试阶段,预计2013年第一季开始量产。未来包括台积电、联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)、三星(Samsung)等业者,皆可望借此新产品提升28奈米良率,而陶氏化学亦将持续提拨每年10%营收做为持续研发下一代产品的资金,以瞄准明年底20奈米量产后的市场商机。

根据SEMI协会统计,台湾已成为全球半导体制造材料最大支出市场。截至现今,包含矽晶圆、光罩(Photomask)、湿制程化学药品、化学机械研磨垫、研磨液、各类气体与新兴材料的总产值支出约为490亿美元,至2013年可望成长至510亿美元,其中,2012年支出估计便已高达102.7亿美元,显见晶圆代工产业对先进材料的需求日渐高涨,而研磨垫市场规模也将持续扩大。



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