ADI与台积电合作完成开发0.18微米类比制程

采用0.18微米、5伏特制程所达到的性能提升包括：杂讯改善幅度提升一个数量级、待机漏电流降低70%、线性度改善50%、以及电容与电阻匹配改善幅度达50%。利用新平台所开发的ADI新近发表产品包括隔离式CAN (控制区域网路)收发器、HART (高速可寻址远端换能器)数据机IC、ECG AFE (心电图类比前端)、一系列数位电位计以及音讯编解码器等。

台积电的0.18微米、BCD(Bipolar CMOS -DMOS，双极–互补金属氧化半导体–双重扩散金属氧化半导体)制程支援宽广的操作电压范围，并以最小的占位面积与高度的能源效率提供深具成本效益的运作方式。这些特点使其非常适用于许多电脑、工业以及消费性等应用。

「ADI与TSMC之间紧密而长期的技术关系，使这项领先业界的新类比技术平台得以开发。」ADI类比技术副总裁David Robertson表示，最佳化制程结合电路和架构的创新，是该公司们高性能转换器与线性产品的关键要素。「ADI与TSMC是从0.6微米与0.35微米类比制程就开始共同合作。」，台积电美国子公司总经理Rick Cassidy表示：「双方在此重要且崭新平台的合作上展现了两家公司对于特殊技术开发及提升更广大产品应用的承诺。」