GLOBALFOUNDRIES在美国纽约的“Fab 8”采用支持20nm工艺的TSV技术
时间：2012-05-07 07:22:00
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[导读]【日经BP社报道】美国GLOBALFOUNDRIES公司于2012年4月26日（美国时间）宣布，可在20nm工艺半导体晶圆上形成TSV（through-silicon via，硅通孔）的生产设备，已开始在该公司位于美国纽约州萨拉托加郡（Saratoga）的生
【日经BP社报道】美国GLOBALFOUNDRIES公司于2012年4月26日（美国时间）宣布，可在20nm工艺半导体晶圆上形成TSV（through-silicon via，硅通孔）的生产设备，已开始在该公司位于美国纽约州萨拉托加郡（Saratoga）的生产线“Fab 8”上采用（英文发布资料）。据称，利用TSV技术可对新一代移动产品及消费类产品用的三维芯片实现积层。
TSV是将硅晶圆在垂直方向蚀刻，并埋入铜的技术。利用TSV技术可在积层的芯片间实现三维方向的信号传递。例如，可通过采用该技术在应用处理器上积层存储器芯片，可在使存储器数据传输速度飞跃提高的同时大幅降低耗电量，满足智能手机和平板终端所要求的条件。
GLOBALFOUNDRIES公司首席技术官（CTO）Gregg Bartlett表示，“为了应对新的硅技术节点，我们很早就已开始与合作伙伴共同开发有望在业界催生下一波技术革新的全新封装解决方案。我们的方案范围广且具有共同性，在可向用户提供最大限度的选择权和灵活性的同时，还能降低成本、缩短产品的市场投放时间、减小伴随新技术开发的技术风险。通过在Fab 8采用20nm工艺TSV技术，我们将与涵盖从设计到组装以至测试整个半导体生态系统中的众多公司，建立共同开发及制造合作关系，由此可具备完全满足新一代元件高端要求的能力”。
GLOBALFOUNDRIES公司的Fab 8是美国国内规模最大的尖端代工工厂。瞄准的是32/28nm及以后工艺，目前正在推进开发20nm工艺。计划从2012年第三季度开始制造采用TSV技术的首批硅芯片产品
Fab 8的外观（2011年夏季的情况，摘自该公司的Web网站）
Fab 8的洁净室（2011年夏季的情况，摘自该公司的Web网站
TSV是将硅晶圆在垂直方向蚀刻，并埋入铜的技术。利用TSV技术可在积层的芯片间实现三维方向的信号传递。例如，可通过采用该技术在应用处理器上积层存储器芯片，可在使存储器数据传输速度飞跃提高的同时大幅降低耗电量，满足智能手机和平板终端所要求的条件。
GLOBALFOUNDRIES公司首席技术官（CTO）Gregg Bartlett表示，“为了应对新的硅技术节点，我们很早就已开始与合作伙伴共同开发有望在业界催生下一波技术革新的全新封装解决方案。我们的方案范围广且具有共同性，在可向用户提供最大限度的选择权和灵活性的同时，还能降低成本、缩短产品的市场投放时间、减小伴随新技术开发的技术风险。通过在Fab 8采用20nm工艺TSV技术，我们将与涵盖从设计到组装以至测试整个半导体生态系统中的众多公司，建立共同开发及制造合作关系，由此可具备完全满足新一代元件高端要求的能力”。
GLOBALFOUNDRIES公司的Fab 8是美国国内规模最大的尖端代工工厂。瞄准的是32/28nm及以后工艺，目前正在推进开发20nm工艺。计划从2012年第三季度开始制造采用TSV技术的首批硅芯片产品
Fab 8的外观（2011年夏季的情况，摘自该公司的Web网站）
Fab 8的洁净室（2011年夏季的情况，摘自该公司的Web网站
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