英文句号"." 容下约600万个电晶体

Intel 宣布将正式量产全新 22nm 制程 3D Tri-Gate 电晶体，再次向宣示其半导体领域的领导地位，回首半导体技术发展，首颗电晶体成品非常大，甚以可以用手直接进行组装，与全新 22nm 制程 3D Tri-Gate 电晶体相较， 1 个英文句号已拥有 600 万个电晶体，形成强烈对比。

世界上首颗电晶体是由 William Shockley 、 John Bardeen 和 Walter Brattain 于 1947 年 12 月 16 日在贝尔实验室完成， 1950 年 William Shockley 开发出双极结型电晶体，正是现在通行的 2D 标准电晶体，但要直至 1954 年 10 月 18 日，首款采用电晶体技术产品「 Regency TR1 」收音机才正式上市，内含四颗锗电晶体。

最初的电晶体技术对收音机和电话而言已经足够，直至 1961 年 4 月 25 日罗伯特诺伊斯获得首个积体电路专利，令人们对电晶体设备要求开始提高，正式进入积体电路时代。

60 年代的电晶体技术使用传统的二氧化矽 SiO2 栅介质，但 1965 年由摩尔和诺伊斯创建的 Intel ，于 1969 年成功开发出 PMOS 矽栅极电晶体技术，引入了新的多晶矽栅电极，两年后的 1971 年首颗处理器 Intel 4004 面市，采用 2 吋晶圆 PMOS 制程，处理器内含 2250 个电晶体。

1985 年，推出的 Intel 80386 处理器已拥有 275,000 个电晶体，采用了当时创新 1.5 微米 CMOS 制程，电晶体数目比 Intel 4004 处理器多出 100 多倍。 2002 年，半导体领域进入奈米年代， Intel 运用全新的应变矽高速铜质接头和新型 Low-k 介质材料，达成全新 90nm 制程，其中这是业内首次在生产工艺中采用应变矽。

2007 年， Intel 再次以突破性的 High-k 金属栅极电晶体，达成全新 45nm 处理器产品， 2009 年，再以经改良的第二代 High-k 金属栅极电晶体，达成全新 32nm 制程处理器产品。

2011 年，在距离首颗电晶体面市 60 多年后， Intel 把电晶体由 2D 时代进入 3D 时代，全新 22nm 3D Tri-Gate 电晶体将可令半导体制程技术打破传统物理限制，并为未来半导体发展带来重大影响。


32nm 2D 电晶体与 22nm 3D 电晶体的差异

Intel 22nm 制程知多点 !?

1 个英文句号能容纳 600 万个电晶体一根头发的宽度约为 4 千多个 22nm 电晶体，相等于两颗 Intel 4004 处理器，如果一幢普通房子按照电晶体的发展速度持续缩小，那么你必需要通过显微镜才能看到它。

如果要用肉眼看得到 22nm 电晶体，等同把一颗处理器放大至与一幢普通房子还要巨型， 22nm 处理器的运行速度是 Intel 4004 处理器的 4000 多倍，每颗电晶体功耗下降 5000 多倍，价格是原来的 5 万份之 1 。

22nm 电晶体 1 秒内将开关 1000 亿次，如果以人手开关电灯要花上 2 千年时间， Intel 每秒可以生产约 50 亿个电晶体，每年总数是 150,000,000,000,000,000 个。