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电子设计企业Cadence设计系统公司今天宣布推出一款全面的低功耗设计流程,面向基于中芯国际65纳米工艺的设计工程师。该流程以Cadence低功耗解决方案为基础,通过使用一个单一、全面的设计平台,可以更加快速地实现尖端、低功耗半导体产品的设计。
“目前,功耗已成为一个关键的设计制约因素,从技术和成本的角度来说,它同时序和面积一样重要”,SMIC设计服务中心副总裁刘明刚表示,“SMIC-Cadence Reference Flow 4.0具有先进的自动化低功耗设计功能,能够满足低功耗设计创新的需要。”
通过低功耗芯片的设计实现,完成了对该设计流程的确认。上述芯片利用了 SMIC 的内部设计65纳米库,包括有效的电流源模型(ECSM)标准单元、功耗管理单元、PLL、SRAM 和 I/O 库。该设计中所采用的低功耗技术包括功率门控和多电源/多电压(MSMV)技术,可以降低漏电和动态功耗消耗。
“能率对许多新型半导体产品来说都是一个关键的要求,然而设计者有时却认为关注于功耗只是最近才刚刚兴起,因而伴随着很多风险”,Cadence公司产品营销副总裁 Steve Carlson 表示,“Cadence 低功耗解决方案提供了全面的、经过硅验证的从前端到后端的流程,面向基于SMIC的65纳米工艺技术的设计者,它包括对功能和结构的验证,同时提高了生产率。该解决方案快速、易用并经过了实践检验。”
在阈值电压或低于阈值电压时,EPAD MOSFET 在称为亚阈值区域的工作区域中表现出关断特性。这是 EPAD MOSFET 传导通道根据施加的栅极电压快速关闭的区域。由栅电极上的栅电压引起的沟道呈指数下降,因此导致漏极...
关键字: 超低压 MOSFET 低功耗设计ALD1148xx/ALD1149xx 产品是耗尽型 EPAD MOSFET,当栅极偏置电压为 0.0V 时,它们是常开器件。耗尽模式阈值电压处于 MOSFET 器件关断的负电压。提供负阈值,例如 –0.40V、-1.3...
关键字: 超低压 MOSFET 低功耗设计寻求在电路设计中实现更低的工作电压和更低的功耗水平是一种趋势,这给电气工程师带来了艰巨的挑战,因为他们遇到了基本半导体器件特性对他们施加的限制。长期以来,工程师们一直将这些特性视为基本特性,并可能阻止他们最大限度地扩大可...
关键字: 超低压 MOSFET 低功耗设计