光迅科技募资6.3亿元 投资核心光电子芯片与器件项目

21ic电子网讯，光迅科技发布非公开发行预案，拟募资6.3亿元，投资宽带网络核心光电子芯片与器件产业化项目。

预案显示，本次非公开发行底价为27.31元/股，拟向不超过10名特定对象发行2307万股。公司实际控制人、控股股东及其控制的企业不参与本次非公开发行的认购。

光迅科技本次募投项目将针对数个市场急需的目标产品进行产业化，产能包括年产150.60万只10G发射器件、年产84.00万只10G接收器件、年产4.80万只25G发射器件以及年产0.96万只40G接收器件。整个项目建设期为2年，全部达产后预计新增年销售收入7.63亿元、利润1.39亿元。

通过本次募投项目的实施，公司产品线将从2.5G以下的普通光电子器件逐渐扩大升级至10G、40G及以上速率的中高端产品。

随着“宽带中国”战略的推进及4G时代的来临，市场对光电子芯片高速率的需求不断增大。而即便作为我国光电子器件领域的龙头企业，光迅科技虽然在芯片技术上是国内产业化最成功的企业，但目前产品仍主要集中于2.5G以下的中低端芯片上。未来市场竞争迫使公司必须及时调整产品结构，大力发展中高端、高速芯片技术及产品。

据了解，2012年，全球光电子芯片与器件领域中国厂商只占到了25%的份额，且集中在中低端芯片及器件上。作为国内行业龙头，光迅科技中高端芯片项目的崛起，有望改写这一市场格局。

光迅科技表示，随着本次中高端芯片及其器件项目的实施，公司将形成更完整、从有源到无源的“芯片-器件-模块-子系统”垂直一体化产业链，协同效应将更为显着。

截至发稿，光迅科技报32.02元，下跌了6.52%。