[导读]据IHS iSuppli公司的DRAM动态简报,虽然DDR4将在今后几年内得到更加广泛的采用,但芯片巨头英特尔的支持力度将是决定DDR4能否在DRAM领域获得成功的关键变数。考虑到2011年出货量为零,今年出货量预计只占总体DRAM领域
据IHS iSuppli公司的DRAM动态简报,虽然DDR4将在今后几年内得到更加广泛的采用,但芯片巨头英特尔的支持力度将是决定DDR4能否在DRAM领域获得成功的关键变数。
考虑到2011年出货量为零,今年出货量预计只占总体DRAM领域的1.4%,DDR4在2014年以前不会达到很大的规模。但DDR4市场两年后将迅速增长,2014年市场份额将增至23.1%,超过目前占主导地位的DDR3。
2015年将继续强劲增长,届时DDR4的市场份额将接近扩大一倍,达到44.2%。到2016年,DDR4将占据包括移动DRAM在内的总体DRAM市场的一半以上,估计份额将达51.8%。
DDR4的这种急剧增长,假设前提是英特尔全力支持这种新型内存产品——没有理由做出相反的假设。英特尔已经宣布,其Haswell微架构将支持几个中央处理单元(CPU),包括Haswell-EP和Haswell-EX。IHS iSuppli公司认为,这两种CPU产品2013年末或2014年初才会上市,但英特尔很可能在计算应用中采用DDR4,尤其是在其率先提出并积极推动的Ultrabook平台上面——这将帮助DDR4更快地占领市场。
这种策略将扩大DDR4的潜在市场。英特尔只是为上述应用生产含有DRAM的CPU,但不是专门含有DDR4或其它DRAM产品。支持向新型内存技术的过渡符合英特尔的利益,尤其是消费者渴望得到更快的存储速度和更低的功耗,而这正是DDR4的两项主要优点。
DDR4初期将采用2133MHz的频率,但带宽将随后提高到2667MHz、3200MHz和4267MHz。这与DDR3相比是一种渐进性的改善。DDR3的最高带宽可达2133MHz。
1.2V的较低工作电压,也使得DDR4的功耗比1.5V的DDR3减少大约35%。DDR4的工作电压可能降到更低,也许会低到1.0V,从而可以更加省电。
即便如此,DDR4能否取得全面成功还要看英特尔的态度。如果英特尔因某种原因决定其CPU减少对DDR4的支持,则DDR4很可能步履维艰或者达不到目前所期望的市场规模。确实,这种情形不可想像,但在DRAM市场仍然由DDR3统治的情况下,不能不考虑这种可能性。
在DDR4全面推出之前,仍有许多工作要做。目前DDR4正在跃跃欲试,准备在两年内得到更多的采纳。但在此之前,仍有许多工作要做。
首先,该技术的最终规格必须得到标准组织JEDEC的批准,然后DRAM厂商才能在硅片上进行设计。尽管三星电子、SK Hynix Semiconductor和美光等内存供应商已经宣布了DDR4产品,但仍须完成上述程序。
其次,CPU厂商——主要是英特尔,需要确保其拥有合适的芯片架构和内存控制器,才能使用DDR4。目前尚不清楚,英特尔打算如何安排其目前的DDR3 CPU产品向DDR4过渡,比如Westmere、Sandy Bridge和Ivy Bridge。但是,英特尔的CPU开发周期目前处于缩小尺寸阶段,显示其缩小了现有微架构的光刻尺寸。
最后,其它内存厂商必须在光刻方面实现足够大的进步,才能满足DDR4的设计参数。幸运的是,每个DRAM开发者都已在采用30纳米工艺,这是生产1.2V DDR4所要求的节点水平。这意味着内存产业现在已达到DDR4的光刻要求,已经具备生产市场所渴望的这种新技术的工艺水平。
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