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[导读]3D IC的全新架构带来极大改变,并非仅着眼于前端或后端制程执行矽穿孔,关键在于晶圆代工厂、整合元件制造商(IDM)及封装厂如何创造新的合作关系。在逻辑与记忆体晶片接合介面标准Wide I/O Memory Bus已于9月底尘埃落

3D IC的全新架构带来极大改变,并非仅着眼于前端或后端制程执行矽穿孔,关键在于晶圆代工厂、整合元件制造商(IDM)及封装厂如何创造新的合作关系。在逻辑与记忆体晶片接合介面标准Wide I/O Memory Bus已于9月底尘埃落定,而加入的半导体成员达上百家下,如此将有助于加快厂商开发时程,促使3D IC尽早展开量产。

着眼于异质晶片接合标准对推动3D IC的重要性,在多家半导体厂共同组成JEDEC JC 11.2标准委员会,已快马加鞭推动逻辑与记忆体晶片接合的介面标准Wide I/O Memory Bus已在9月底确立。如此一来,能透过标准的依循与协助,加快厂商开发时程,促使3D IC尽早展开量产。

台积电已瞄准3D IC蓄势待发的商机积极抢攻,期借晶圆厂整合能力,将触角伸及封装领域,正积极发展3D IC架构的关键技术矽穿孔(TSV),并结合现有晶圆级封装(WLP)与堆叠封装(PoP),打造完整的3D IC流程解决方案。

3D IC的生产流程须在前端晶圆代工制程进行矽穿孔,或是在后端封装厂才执行,各家看法不一。从 晶圆厂立场来说,在晶圆代工阶段即导入矽穿孔制程,对晶片业者来说较具竞争力,因为晶圆厂对整个晶片设计的掌握度较佳,且新投入? 』备成本较少,借以满足客户控管生产成本及加快产品上市时程的考量。此外,晶片走入更先进制程后,拉高矽穿孔的技术门槛,封装厂势必要投入更多的设备,将提升成本,不符合客户的成本考量。

台积电积极拓展业务范畴,似乎已引起外界对侵蚀封装厂商机的疑虑。对此,日月光认为,这对晶圆代工产业而言,不只是再次肯定3D IC后段封装测试的重要性,也意味着新一轮的赛局即将展开,预期将影响3D IC晶圆代工产业与封测产业既有的竞争与联盟板块,并促使晶圆代工、封装、测试产业强化自身价值的差异化。

日月光指出,3D IC为未来晶片发展趋势,供应链将重新洗牌,将形成跨业整合的现象,例如整合半导体和微机电(MEMS),以及基板与封测产业合作内埋元件技术(Embedded)。此外,3D IC的全新架构带来极大改变,并非仅着眼于前端或后端制程执行矽穿孔,关键在于晶圆代工厂、整合元件制造商(IDM)及封装厂如何创造新的垂直合作关系。
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