[导读]晶圆代工业者联电（UMC）日前宣布，由于产能需求仍旺，及满足客户未来对高阶技术的需求，上修资本支出至18亿美元。其中，新加坡Fab12i厂将大幅建置65/55纳米产能；南科Fab12A厂第三期无尘室，也于7月提前竣工，预
晶圆代工业者联电（UMC）日前宣布，由于产能需求仍旺，及满足客户未来对高阶技术的需求，上修资本支出至18亿美元。其中，新加坡Fab12i厂将大幅建置65/55纳米产能；南科Fab12A厂第三期无尘室，也于7月提前竣工，预计年底前开始产出，明年可望加速贡献40纳米营收。目前为止，机台采购及装置的进度皆顺利。
联电表示，18亿美元的资本支出多用于集中于65纳米以下的高阶制程，以满足客户对于高阶产能的需求。联电Q2制程比重，65纳米以下高阶制程比重，较Q1增加6%，占24%。其中，65纳米占Q2制程比重21%，45纳米以下占3%。
而联电Q2产能满载，65纳米以下产品Q2营业额较Q1成长超过50%，且依市场需求来看，联电预估，客户对于高阶制程产品的需求还会持续上升，因此，加速建置高阶产能，刻不容缓。
而今年18亿美元的资本支出配置，12?晶圆厂仍是资本支出的大宗，占总支出87%，8?厂则占13%。联电目前12?晶圆厂(Fab12i及Fab12A)在Q2的总产能为45.4万片，占总产能38.37%，而Q3预计会增加到48.5万片。其中，Fab12i预计Q3增幅最大，约较Q2增加12.24%，达27.5万片。而联电Q2的总产能为118.3万片，预计Q3会增加3.7万片，达122万片。
联电执行长孙世伟表示，联电审慎评估中长期需求及产能建置风险后，决定于今年调升资本支出至18亿美元，较原本预定最高的15亿美元，增加3亿美元，上修幅度达20%。联电希望藉扩增产能，争取晶圆代工目标市场的强劲成长动能。联电表示，今年将在新加坡Fab2i厂大幅建置65/55纳米产能，南科Fab12A厂第三期无尘室也已于7月提前竣工，并全力进行机台移入，预计年底前开始产出，明年可望加速贡献40纳米营收，目前机台采购及装置的进度皆顺利。 0 0
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