X-FAB推出100V高电压0.35微米晶圆制程
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X-FAB于日前宣布，发表第一套100V高电压0.35微米晶圆制程。 当运用在电池管理方面，可实现更上层楼的可靠性、高效能电池管理与保护系统，也最适合于电源管理应用与运用压电驱动器的超音波影像处理和喷墨打印头应用。此外，X-FAB更增添全新强化的N-与P-型双扩散金属氧化物半导体(DMOS)晶体管，具备更低45%的导通电阻(on-resistance)适用于高达100V的多种作业电压，更缩小达40%的芯片面积，自然也降低了成本。X-FAB将在7月27日与28日针对全球展开免费的网络研讨会，议题为“业界首创0.35微米100V纯晶圆代工制程的高电压应用(Addressing High-Voltage Applications with the Industry’s First 0.35 Micrometer 100V Pure-Play Foundry Process)”，并彻底讨论这些全新功能。
X-FAB首席技术官Jens Kosch表示，随着油电混合车与电动车、光电动势电池(photo-voltaic cell)及风力涡轮发电机等可再生能源应用的支持者日益增多，安全、高效能能源储存管理解决方案也应运而生。运用X-FAB全新的专门高电压制程，我们的客户能够应付这些问题，与及以更低成本支持大幅增长潜力的其它新兴应用。例如，我们留意到全球各大车厂都对锂离子电池等电源管理解决方案投以注目。我们的客户运用X-FAB崭新HV制程，便能够实现更安全、更高效能的电池监控与保护系统。
X-FAB表示，全新强化N-与P-型DMOS晶体管闸极氧化层厚度只有14nm或40nm，为客户们作业电压55V、75V与100V的应用提供5V或12V驱动能力的选择。藉由大幅降低导通电阻、整合到EEPROM赖以运作的基础制程而实现更精简且可程序化的储存，和以厚金属层作为第三金属层，X-FAB大幅降低了功能成本比。此外，新增的隔离式5V NMOS与PMOS装置能够在0到最高作业电压100V之间浮动。其它装置强化还包括d萧基二极管(Schottky diode)、20V与100V高电压电容与双极晶体管。 0 0
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