东芝拼了！NAND Flash全面转进43纳米制程
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为因应NAND Flash产业景气寒冬，以及进入传统淡季后价格进一步重挫，日系大厂东芝(Toshiba)计划在2009年第1季前，将制程技术全数转进43纳米，现有56纳米制程将逐步退役，届时东芝将是全球NAND Flash制造商成本结构最低者，为2009年初即将来临的淡季潮作准备；反观2大竞争对手三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)分别在51和48纳米制程进度不如预期，尤其是海力士进度大幅落后，更将拉大彼此距离。
2008年NAND Flash价格一再重挫，完全没有旺季效应可言，之前跌势集中在主流规格8Gb和16Gb芯片，虽然近期逐渐止跌，但现在各界几乎已有共识，未来将轮到32Gb芯片价格作一番调整，跌势可能会集中在高容量芯片。因此，为因应传统淡季来临，NAND Flash大厂已开始作准备，以度过漫长寒冬。
存储器业者透露，东芝将全面性将制程技术转进到43纳米制程，目前已着手准备，逐步停掉56纳米制程产品，预计到2009年初，几乎可将NAND Flash芯片全部替换成43纳米制程，达成降低成本目标。届时东芝将是全球NAND Flash制程技术最领先者，也是成本最低者，虽然这样成本下降动作，不一定会增加获利，但至少可降低亏损幅度和机率，因为2009年初的传统淡季，大家已有心理准备会「超乎预期地淡」。
存储器业者指出，海力士2008年在NAND Flash制程吃足苦头，主要是48纳米制程量产不顺所致，原预期48纳米制程2008年初即应该量产，然卡在良率拉不上来因素，迟无法真正大幅量产，一直拖到现在，离东芝的速度仍有一大段距离，成本也不具竞争力。
值得注意的是，海力士48纳米制程递延，造成一整个制程世代落后，因此，海力士之前宣布要减产NAND Flash，是不得不的决定，因为在制程技术无法突破下，是多做多赔，不如将重心放在DRAM产品上放手一搏。
存储器业者指出，现在NAND Flash大厂面对终端需求每况愈下，持续制程微缩以降低成本，已是不二法门，在需求下降、价格下滑及成本降低的追逐赛中，若成本下降速度能追上价格下降幅度，业者就能少亏一点。
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关键字： NAND NAND Flash 三星 SK海力士
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