NAND Flash再刮大风 30纳米世代竞赛起跑
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全球NAND Flash需求仍相当疲弱，尽管东芝(Toshiba)宣布增产重创市场信心，然存储器业者透露，由于东芝43纳米制程NAND Flash芯片日前打入苹果(Apple)iPhone供应链，推测其增产系为苹果供货做准备，近期更需关注的是，三星电子(Samsung Electronics)除采用既有42纳米制程应战，亦开始准备最新版35纳米制程NAND Flash芯片，且已陆续送样给控制芯片厂，这不仅将对东芝和英特尔(Intel)、美光(Micron)联盟造成压力，亦将影响NAND Flash市场。
存储器业者表示，东芝决定增产，加上传出三星亦跟进，成为压垮NAND Flash市场最后一根稻草，业者预估东芝7月将全产能开出，恐对供给面不利，然东芝43纳米产品日前正式打入苹果iPhone供应链，增产部分可能是苹果专用，因此，并不用太担心会冲击市场。
值得注意的是，目前三星和东芝各以42及43纳米制程生产NAND Flash芯片，然三星已开始布局35纳米制程，且已送样给多家控制芯片厂，希望能配合加快脚步，一旦三星35纳米制程芯片量产，NAND Flash市场将进入30纳米世代。
控制芯片业者指出，尽管目前英特尔及美光阵营34纳米制程跑在前面，但因产能不多，对市场影响有限，若三星35纳米制程顺利起跑，将防止英特尔和美光阵营坐大机会。不过，三星仍应注意东芝积极开发3-bit-per-cell技术，由于三星在此方面进度始终不如东芝，恐怕市占率会再被东芝侵蚀。模块厂认为，3-bit-per-cell芯片因稳定度问题，或许不能用在固态硬碟(SSD)，但绝对可用在随身碟，在成本考量下，3-bit-per-cell技术杀伤力不小。
存储器业者表示，三星35纳米制程量产后，预计伴随成本结构下降，NAND Flash价格恐将再有一波修正，主流规格将由目前16Gb向上推升到32Gb，若应用端仅限于随身碟或快闪记忆卡，恐无法消化这么高容量，可能导致价格下跌，但此亦有助于固态硬碟拉近与硬碟成本，扩大市场需求。对台系模块厂而言，亦乐见NAND Flash厂制程持续微缩，进一步带动SSD产业成长。
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