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英飞凌全新.XT技术延长IGBT模组使用年限
时间：2010-12-24 09:01:54
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[导读]英飞凌科技（Infineon Technologies）推出创新IGBT内部封装技术，能大幅延长IGBT模组的使用年限。全新的.XT技术实现IGBT模组内所有内部接合的最佳化，以延长产品寿命。相较于现有的技术，全新的.XT技术可以延长IGBT模
英飞凌科技（Infineon Technologies）推出创新IGBT内部封装技术，能大幅延长IGBT模组的使用年限。全新的.XT技术实现IGBT模组内所有内部接合的最佳化，以延长产品寿命。
相较于现有的技术，全新的.XT技术可以延长IGBT模组10倍的使用寿命，另外输出功率则增加25%。全新的技术支援最高达200℃的接面温度。透过此全新的封装技术，能满足新兴应用对于更高的功率循环性能需求，更提升模组的功率密度及更高的接面作业温度。
功率循环会产生温度变化，并导致IGBT模组内部接合的机械应力。单层因热膨胀所产生的不同系数，会造成热应力，最终导致材料疲乏及磨耗。全新的.XT技术涵盖了IGBT模组内影响功率循环性能的关键区域，包括晶片前端的黏合接线、晶片背面的焊接（晶片至DCB）以及DCB基板至底板的焊接。
这项全新的内部接合技术适用于英飞凌多数现有的封装以及全新的模组封装。这三项新接合技术均适用于标准制程，非常适合大量生产。第一款采用全新.XT技术的产品是PrimePACK 2模组FF900R12IP4LD，搭载半桥架构，提供900安培，并以150℃接面作业温度的IGBT4晶片为基础。
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