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[导读]7月3日,据台湾媒体报道,中芯国际和Saifun半导体宣布,两家公司已达成协议,Saifun将从中芯国际获得90纳米生产工艺的知识产权和技术。据悉,此次知识产权收购是中芯国际和Saifun在开发合作方面迈出的第一步,两家公

7月3日,据台湾媒体报道,中芯国际和Saifun半导体宣布,两家公司已达成协议,Saifun将从中芯国际获得90纳米生产工艺的知识产权和技术。

据悉,此次知识产权收购是中芯国际和Saifun在开发合作方面迈出的第一步,两家公司未来将在下一代技术上继续合作。

据了解,基于90纳米生产工艺的首批中芯国际资料 (NAND)闪存产品样本已经开始发货,预计将于今年晚些时候进入市场。这批产品的存储容量为2GB,采用了Saifun NROM技术,在采用相同技术的资料闪存中密度最大。下一代产品的存储容量为8GB,将采用Sai fun Quad NROM技术,预计将于2008年初进入市场。

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