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[导读]半导体厂拼扩产,带动外围耗材与化学材料厂亦接单畅旺,如化学机械研磨(CMP)、光阻剂(Slurry)以及外围耗材包括光罩盒、晶圆盒等等供应商,也纷纷扩产因应未来需求。化学材料大厂陶氏化学(Dow Chemical) 半导体技术部

半导体厂拼扩产,带动外围耗材与化学材料厂亦接单畅旺,如化学机械研磨(CMP)、光阻剂(Slurry)以及外围耗材包括光罩盒、晶圆盒等等供应商,也纷纷扩产因应未来需求。

化学材料大厂陶氏化学(Dow Chemical) 半导体技术部门副总Sam Shoemaker指出,根据市场数据显示,2010年全球半导体营收可望达到3,103亿美元,较2009年大幅上扬35.1%。半导体材料市场势必与整体半导体产业同步攀升,SEMI统计指出,半导体材料市场2010年预期会有17%的成长。陶氏化学预估2010年营收年成长将达30%

陶氏化学在亚洲共有4座厂房、北美有2座、并有1座位于欧洲,由于客户需求畅旺,因此陶氏化学也积极扩产因应未来需求。Sam Shoemaker指出,陶氏化学除扩充位于北美厂房的产能外,更着重投资亚洲,主要由于亚洲区客户成长快速。

该公司于台湾竹南亦有1座亚太技术与制造中心,已投资超过7,000万美元,在2009年7月员工数约160人,不过在2010年已达到250人。其中,CMP研磨垫产能已经备增,2011年也将持续扩增。

Sam Shoemaker表示,亚太技术与制造中心已着手进行先进技术和新一代CMP应用与客户合作研发,其中包括32纳米、22纳米铜金属与低介电质、浅沟槽隔离(STI)、钨(W)研磨和膜层间介电质(ILD)。该中心也设立亚太区的CMP技术应用工程和技术服务小组,目前也正在增设新的分析实验室,用以分析研磨液和研磨垫产品的特征。

另一方面,陶氏化学已经与客户进行20纳米以下的CMP技术和微影技术相关研究。也在为3D IC的矽穿孔(TSV)开发新的化学电镀方法和寻找新的平整化材料,还有设计新的芯片级封装底胶材料。开发成果包括,用于浸润式微影的无底层覆膜负光阻、针对20耐米以下元件的EUV光阻以及针对28纳米以下元件的反应式CMP研磨液。

化学材料外,半导体外围耗材包括光罩盒、晶圆盒供应商亦受惠于晶圆出货成长,带动耗材使用量。半导体设备商中勤董事长陈延方指出,半导体厂为增加设备使用寿命,因此提升对晶圆盒使用量,避免污染影响到机器的使用年限。

为提升产品质量与技术能力,中勤与高性能聚合物制造商Victrex合作,导入Victrex的聚醚醚酮(PEEK)聚合物,生产LCD、LED和太阳能卡匣、6寸与8寸晶舟等产品,提升产品的纯度、抗静电性、耐化学性、耐磨耗性、电性、耐温性与稳定性。随著越来越多客户导入,将带动中勤营收逐年成长。

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