英特尔10nm工艺揭秘：2.7倍晶体管密度，首次使用贵金属钌

英特尔现在的主力工艺依然是14nm，目前已经发展了三代14nm工艺，将会一直用到2019年底，之后才会升级10nm工艺。不过10nm处理器最近已经上市了，联想Ideapad 330就使用了10nm Cannonlake架构的Core i3-8121处理器，通过分析英特尔的10nm工艺晶体管密度达到了100MTr/mm2，是14nm节点的2.7倍，而且英特尔首次使用了贵金属钌。

Techinsights日前就以联想Ideapad 330中的Core i3-8121处理器为例分析了英特尔的10nm工艺，详细报告还没有发布，他们只公布了部分数据，英特尔的10nm工艺主要创新如下：

·逻辑晶体管密度达到了100.8MTr/mm2，也就是每平方毫米1亿个晶体管，晶体管密度是14nm工艺的2.7倍多。

英特尔之前公布的自家14nm工艺特点

·10nm FinFET使用的是第三代FinFET晶体管工艺技术

·10nm工艺的最小栅极距(gate pitch)从之前的70nm缩小到了54nm。

·10nm工艺的最小金属间距(metal pitch)从之前的52nm缩小到了36nm。

英特尔10nm工艺亮点：

·与现有10nm及即将问世的7nm工艺相比，英特尔10nm工艺具有最好的间距缩小指标

·在后端制程BEOL中首次联合使用金属铜及钌，后者是一种贵金属

·在contact及BEOL端使用了自对齐曝光方案(self-aligned patterning scheme)

设计亮点：

·通过6.2-Track高密度库实现了超级缩放(Hyperscaling )

·Cell级别的COAG(Contact on active gate)技术

关于英特尔的10nm工艺优势，之前我们也介绍过，而且英特尔CEO科赞奇也解释过他们的10nm工艺为什么难产的问题，一大原因就是他们的10nm工艺指标定的太高了，10nm工艺100MTr/mm2的晶体管密度实际上跟台积电、三星的7nm工艺差不多，性能指标是很好的，但遇到了良率这样的问题，所以量产时间上要比其他两家落后两年多。