三星在8英寸硅基板上试制出常闭型GaN功率元件

三星电子在直径为8英寸(200mm)的硅基板上，试制出了为栅极加载正电压就会导通的“常闭工作型”GaN功率元件，在功率半导体国际会议“ISPSD 2013”(2013年5月26～30日在石川县金泽市举行，日本电气学会主办)上发表了相关演讲(演讲序号：6-4)。制造GaN功率元件使用的硅基板的直径一般为6英寸。将直径增大到8英寸后，可以提高生产效率，削减成本。

GaN功率元件采用的是由GaN和AlGaN构成的“HEMT构造”。在这种构造下，GaN与AlGaN的接合部会产生二维电子气，难以实现常闭工作。但出于安全性考虑，非常需要电源电路为常闭工作方式。为此，三星在栅极部分设置了p型GaN层，从而实现了常闭工作。

三星在演讲中介绍的是耐压为670V、阈值电压为2.8V的GaN功率元件。此外，还介绍了封装在TO-220封装中的GaN功率元件，其耐压为850V，阈值电压为3.3V，未公布芯片尺寸，栅极宽度为100μm。

会场上有人问到电流崩塌特性如何，但三星的演讲者未给出明确回答。

另外，关于常闭工作型GaN功率元件的用途，三星的演讲者表示“可考虑用于白色家电”。