安谱隆半导体将在IMS会议上展示LDMOS和GaN射频功放产品组合及大功率射频解决方案

914号展台 – 夏威夷州夏威夷会展中心

安谱隆半导体(Ampleon)今天宣布参加即将举行的国际微波研讨会(IMS)。

Ampleon将在914号展台展示其适用于移动宽带、广播、工业、雷达和航空电子以及射频能量应用的最新射频功率器件和模块。

移动宽带的产品演示包括多款采用Ampleon最新32V和50V LDMOS和GaN工艺的、面向基站、小基站和大规模MIMO应用的功率放大器，以及一款同时覆盖2.3至2.7GHz(频带40和41)的、采用基于赛灵思公司(Xilinx)16nm Zynq® UltraScale+™ MPSoC器件的Xilinx DPD解决方案进行线性化的多频段功率放大器。

其他应用包括一个400W S波段pallet、一个900W UHF广播设计和一个2,000W 127MHz ISM频段放大器。此外，一款集成了射频能量应用用传感功能的433MHz、200W的pallet也将进行展示。

Ampleon的LDMOS产品组合包括宽带器件、Doherty放大器用晶体管、专为工业、科学和医疗(ISM)应用设计的、非常坚固耐用的大功率器件，以及民用雷达用晶体管等。SiC基GaN产品阵容包括大功率宽带器件和驱动器等。

除了其最新产品和解决方案的广泛阵容外，Ampleon公司的工作人员也积极参与了会议计划。

Sergio Pires将于6月4日(星期日)在6号会议上(分配位置将在现场提供)出席题为“5G系统功率放大器创新(Power Amplifier Innovations for 5G systems)”的研讨会。

Xavier Moronval作为IMS行业论文大赛决赛入围者之一，将会在6月6日(星期二)上午10:10至11:50在316A室发表他的论文(编号：TU2G-2)“一种基于新型3Wa 1:2:1 Doherty结构的、为小基站提供最佳效率的紧凑型60W MMIC放大器(A Compact 60 W MMIC Amplifier Based on a Novel 3-Wa 1:2:1 Doherty Architecture with Best-in-Class Efficiency for Small Cells)”。

Andre Prata将于6月6日(星期二)下午15:40至17:10在夏威夷会展中心(Hawai’i Convention Center)的俯瞰大厅(overlook concourse)发表他的论文(编号：TUIF3-17)“迈向面向5G的无环形器多天线发射器(Towards Circulator-Free Multi-Antenna transmitter for 5G)”。

Raheem Qureshi将于6月8日(星期四)下午13:30至15:00在夏威夷会展中心的俯瞰大厅发表他的论文(编号：THIF2-10)“具有对封装集成式负载不敏感的E类器件的高效率射频功率放大器(High efficiency RF Power Amplifiers featuring package integrated load insensitive Class-E devices)”。