新型纳机电开关存储器问世，将与晶体管开关硅存储器相抗衡

剑桥大学Gehan Amaratunga教授领导科研组已开发出一种新颖的存储器件，这种技术可与基于晶体管开关硅技术的传统存储器相媲美。

传统的存储芯片由晶体管、电阻和电容组成，通过光刻、刻蚀等工艺构建在多层硅晶圆上。如今该技术已进步到了可在一块小如针头的硅芯片上集成数百万个晶体管的水平，但许多研究人员断言，这一形式的存储器已发展到了极限。

业界研究人员一直在尝试以机电驱动开关取代晶体管开关的存储器。不同于晶体管，机电驱动开关包含了许多移动部件。机电驱动开关不仅具有出色的ON-OFF比和快速切换的优点，而且开关和电容的物理分离意味着可大大减少数据泄漏问题。不过，这种技术涉及到的单元尺寸较大，制造工艺也更复杂，故迄今都还无法取代硅技术。

而Amaratunga教授与其开发团队基于垂直排列的多壁碳纳米管(CNT)创建了一种新颖的纳机电(NEM)开关电容，能够解决了上述问题。

NEW开关的制作步骤如下：1、金属多壁碳纳米管在电子束光刻定义的催化剂点上生长。2、利用氮化硅绝缘层涂敷纳米管。3、溅射铬，形成源极电容。4、湿法蚀刻形成漏极，这是该开关的移动部分。

尽管基于碳纳米管的纳机电开关以前也见报导，但这是首次研究人员能够在大面积范围内以集成电路生产所需的精度控制纳米管的数目和空间位置。