联华电子与赛普拉斯宣布65nm SONOS工艺

联华电子与赛普拉斯半导体(Cypress)日前共同宣佈，双方已採用新的65奈米SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon，硅-氧-氮化硅-氧-硅)快闪记忆体技术，成功产出了有效硅晶片(working silicon)。联华电子将採用此新製程为Cypress生产次世代PSoC® 可编程系统单晶片，以及nvSRAM和其他产品。此外，联华电子也将在Cypress授权协议下，将此技术提供给其他公司使用。
此一崭新的S65TM製程，係採用65奈米SONOS嵌入式NVM (nonvolatile memory，非挥发性记忆体)技术，此製程现已顺利与联华电子标准LL65製程整合。凡是採用LL65製程的晶片设计，不论是现有或新的设计，现都可轻易地加入嵌入式快闪记忆体，享有快速产品上市时间，低开发成本，且几乎不会对其他硅智财的设计产生干扰等优点。S65製程的主要优势包含了高耐力，低功耗，及抵抗记忆体因为宇宙射线而发生软错误的错误率（SER，Soft Error Rate）。相较于其他嵌入式快闪记忆体技术需要外加7-12层光罩，此技术仅需要在标准CMOS製程之外，额外加上三层光罩即可。S65製程同时可提供客户高良率与低测试成本。就Cypress产品而言，和採用现有0.13微米S8TM製程生产相比，此一新製程预期将可减少75%的阵列尺寸，并且减少一半的功耗。
“我们非常高兴能与晶圆专工製造业的领导者携手，共同推动了此尖端技术的上市，” Cypress全球製造与营运执行副总Shahin Sharifzadeh表示，“Cypress十分期待于产品群内，加入採用S65TM製程所生产的高效能新产品。同时也将与联华电子并肩努力，将此技术授权给联华电子广大的全球客户群使用。”
“身为以客户需求为导向的晶圆专工厂商，联华电子不断致力于为客户推出更精进的製程选择”，联华电子资深副总颜博文表示，“今日嵌入式NVM已成为诸多晶片设计的主要特性。为此，联华电子提供了一个极富价值的技术解决方桉，透过成功地整合S65TM与LL65製程，藉此满足客户的需求。我们期望将採用此製程技术的Cypress与其他客户产品，儘快带入量产。”
联华电子S65TM製程预计于今年度第三季上市。