集邦：Q3全球NAND大厂营收季增8.8%

研究机构集邦(TrendForce)旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示，今年Q3虽然NAND Flash价格涨幅不若Q2明显，但由于下半年NAND供应商产出成长依旧有限，加上智慧型手机与平板电脑成长步伐稳健，因此即便Q3合约报价持平Q2，NAND Flash厂商营收仍维持上升态势。根据统计，NAND Flash品牌供应商营收较Q2季增8.8%达到62.81亿美元，年增幅度达到35%。

根据DRAMeXchange的统计，三星电子仍是全球最大NAND Falsh品牌厂，Q3营收为24.13美元、市佔率38.4%，Toshiba单季营收为18.12亿美元、市佔率28.9%，SK Hynix的Q3营收则为8.83亿美元、市佔率14.1%，Micron单季营收为6.97亿美元、市佔率11.7%，Intel在Q3来自NAND的营收则为4.75亿美元，市佔率7.6%。

就各品牌大厂动态而言，DRAMeXchange指出，三星在Mobile NAND、PC用SSD和企业级SSD出货动能带动下，NAND Flash营收季增约1成，位元出货量较Q2增加约10-13%；DRAMeXchange表示三星19奈米的产品已顺利量产，未来应用在伺服器与云端设备的企业级固态硬碟将是三星未来发展重点。

而就Toshiba来看，DRAMeXchange认为Toshiba在Q3期间的NAND Flash营收季增9.2%，主要来自规则性客户新机种上市、带动需求增加所致。事实上，Tohshiba已将本会计年度的记忆体销售目标额从原先5900亿日圆上修至8000亿日圆，显示NAND Flash业务持续成长。Toshiba正在加速开发次世代19奈米製程，Q4起提升企业级固态硬碟市场占有率也将成为另外一个营运目标。

另一方面，DRAMeXchange指出，SK Hynix在9月无锡厂大火之后紧急将部分NAND产能转往DRAM业务，导致Q3的位元出货成长率仅交出逊于预期的11%(营收季增5.1%)。DRAMeXchange预估，在NAND产能转往DRAM的效应持续发酵下，SK Hynix在Q4的位元出货将较Q3衰退10-15%左右。

以另一记忆体大厂Micron近期表现而言，DRAMeXchange则指出，Micron在Q3期间的NAND Flash营收较上季微幅增加2.8%，尤其受惠于固态硬碟出货强劲，单季位元出货量较上季增加13%，随著20奈米产品比重提升，Micron单季成本也较前季下跌10%。Micron看好Q4期间的NAND产业供需平衡，预期位元出货量依旧可维持双位数的成长。

而在企业级SSD佈局甚为积极的Intel方面，DRAMeXchange则指出Intel Q3的NAND营收季增幅度为15%，营收成长率在各大厂当中高居第一。DRAMeXchange表示，企业级固态硬碟的需求将随著云端运算的成长，预期Q4将持续畅旺，同时第四季英特尔20奈米固态硬碟的产品比重将超过一半，看好Intel的NAND Flash营收成长动能将得以延续。