宜特研发出MEMS G-Sensor失效分析标准流程

iST独家研发的 MEMS G-Sensor 失效分析标准流程，已经通过全球电子元件检测失效分析技术研讨会－ISTFA的认可，并成为首家拥有 MEMS 研究团队的实验室。

iST观察发现，许多公司欲了解MEMS元件的失效状况时，由于对其结构的认知度、掌握度不够，因此以传统方式做开盖(De-cap)观察，容易造成元件污染。 此外，由于元件为悬浮结构，以外力移除时易产生毁损。在两造影响下易于造成元件污染和应力破坏，不但没有找出真因，反而制造更多失效盲点。

为了克服此问题，iST成功开发出 MEMS 无污染的 De-cap 技术，结合无应力的元件移除技术，以非破坏方式保留结构原貌，避开机械应力和污染产生的非真因失效。目前已帮助三十多家 MEMS 设计、制造与封装企业，对症下药地找出失效点并成功改善，抢攻市场先机。