Kilopass公司获得2012年NVM全球技术创新奖

摘要：  作为一家半导体逻辑非易失性存储器(NVM)知识产权供应商，Kilopass科技有限公司日前宣布，成长战略咨询和市场研究的重要供应商Frost & Sullivan授予其2012年NVM全球技术创新奖。

关键字：  逻辑CMOS，  存储器，  芯片

作为一家半导体逻辑非易失性存储器(NVM)知识产权供应商，Kilopass科技有限公司日前宣布，成长战略咨询和市场研究的重要供应商Frost & Sullivan授予其2012年NVM全球技术创新奖。

Kilopass在标准逻辑CMOS过程的基础上将NVM位密度提高四倍，因而获得该奖对虚拟交叉点存储器(VCM)的表彰。VCM的成本仅为带类SRAM芯片区的嵌入式或外部闪存的一半不到，且现场可编程性十分灵活，因而，从微控制器到触摸屏驱动程序的许多应用程序均能从VCM中获利。

Kilopass科技公司的总裁和首席执行官Charlie Cheng说道：“我们很高兴能获得Frost & Sullivan的这个奖项。这个奖项认可了Kilopass在逻辑NVM空间上不断创新的追求。我们在2002年创造了首个逻辑反熔丝技术，而该技术现在被用于从游戏机到汽车的终端产品的大批量生产。我们可以利用VCM，通过增加容量和性能，将我们的目标市场扩大到包括微控制器的嵌入式系统，同时减少4倍的内存占用。”

在2012年非易失性存储器全球技术创新奖中，Frost & Sullivan用五项标准对三家提供NVM存储器的公司进行评估：(1) 独特的技术；(2) 对新产品/应用程序的影响；(3) 对功能的影响；(4) 对顾客价值的影响；(5) 创新与行业的相关性。每一项满分为10分，Kilopass在前两项和最后一项的分数为8分，其余两项的分数为9分，平均分为8.8分。另两家公司在评奖中的加权平均值为7.8分和6.6分。Kilopass明显胜出。

Frost & Sullivan半导体组研究分析师表示：“通过VCM位技术，Kilopass使顾客能享受高位NVM，从而提供了更高的价值。这种技术能满足从180纳米到20纳米的规格的多种设备的要求。对于许多需要紧凑外观、高电池寿命和大存储量的产品和新应用程序来说，它是一种十分理想的技术。”