SiC功率模块关键在价格，核心在技术

 

世强代理的CAS300M12BM2外壳采用行业标准的62mm x 106mm x 30mm，封装则采用Half-Bridge Module，具有超低损耗、高频率特性以及易于并联等特点。漏极电流方面，连续通电时最大为404A（@25℃），285A（@90℃）， 脉冲通电时最大为1500A（@25℃），导通电阻在栅源间电压为+20V、周围温度为25℃时只有5mΩ（标准值）。此外，即使周围温度上升至+150℃，导通电阻也只有8.6mΩ（标准值），温度上升对导通电阻增加的影响非常小。总栅极电荷仅1025nC（标准值），因此十分容易提高开关频率。

 

图1：Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 m?半桥双功率模块CAS300M12BM2

 

Cree方面表示，如果使用SiC功率模块，与使用Si功率的电源装置相比，由开关损失引起的功率损耗可降低5倍以上。与采用Si材料IGBT的电源装置相比，CAS300M12BM2可改善装置整体的转换效率，而且能将开关频率提高，从而能够缩小外置部件，因此可削减电源装置整体的体积和重量。在感应效率达到99%的同时，CAS300M12BM2在高频感应加热系统可减少2.5倍的电源模块数。CAS300M12BM2的转换效率和性能可使设计师减少冷却片和散热片，降低系统的热要求，提升两倍的功率密度并降低系统成本，最终减少了用户的成本。

 

图2：使用SiC与Si技术比较

 

Cree功率和RF产品营销经理MrinalDas表示："Cree的SiC功率模块系列还可以为太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和工业电源等应用带来极大益处。即使设计人员只是在电动机中用SiC取代硅模块，SiC的增强性能也可以降低功率耗损和冷却要求，从而降低动力电子设备系统的尺寸、重量、复杂性和总成本"。