Soitec收购EpiGaN nv，优化衬底产品整合氮化镓(GaN)优势

法国Soitec半导体公司日前宣布，已与欧洲领先的氮化镓(以下简称GaN)外延硅片材料供应商EpiGaN达成最终协议，以3,000万欧元现金收购EpiGaN公司。同时，这一协议还将根据盈利能力支付计划支付额外的奖金。 EpiGaN的GaN产品主要用于RF(射频)、5G、电子元器件和传感器应用。预计未来五年内，GaN技术的市场应用规模将达到每年50万至一百万个晶圆。

Soitec首席执行官Paul Boudre表示：“目前，GaN技术在射频和功率市场中的应用备受瞩目。GaN 外延硅片材料与Soitec目前的优化衬底产品系列将形成战略上的天作之合。收购EpiGaN进一步扩展并补充了Soitec的硅产品组合，为射频、5G和功率系统创造了新的工艺解决方案，为用户增效。”

在移动领域，实现性能、低功耗和成本的共同优化至关重要。与4G相比，5G 低于6GHz频段和毫米波的到来正在推动新一代基站的发展，它需要更高能效、更高性能、更小、更有经济效益的功率放大器(PA)。更小、更轻、更高效和更具成本效益是当今基站设计的趋势，Soitec将扩展其应用于PA的产品组合，并以GaN产品领衔这一趋势。

EpiGaN联合创始人兼首席执行官Marianne Germain博士表示，“多年来，EpiGaN在GaN技术领域备受行业认可，目前研制出并优化了一种可投入使用的技术，应用于5G宽带网络应用。我们的技术为Soitec的客户创造了绝佳的机会，可以针对新兴高增长市场快速开发产品解决方案，例如射频设备、高效电源开关设备和传感器设备。”

EpiGaN总监兼基石投资公司LRM代表Katleen Vandersmissen则表示：“EpiGaN开发的GaN技术开启了许多未来机遇。我们相信作为EpiGaN的卓越合作伙伴，Soitec将充分挖掘EpiGaN的市场发展潜力。”

此外，鉴于GaN在功率晶体管设计中的应用，收购EpiGaN还将为Soitec现有的Power-SOI产品创造新的增长空间。Power-SOI和GaN均可满足智能化、节能化和高可靠的集成电路设备对于综合高压和模拟功能的要求，以便广泛应用于消费电子、数据中心、汽车和工业市场。EpiGaN将被整合成为Soitec的一个业务部门。Soitec将于2019年6月13日在巴黎举行资本市场日。