大手笔！三星电子闪存芯片项目二期规模达150亿美元

为促进NAND闪存芯片的生产，三星电子日前启动了芯片项目二期第二阶段的投资。

据悉，位于中国陕西西安高新综合保税区的二期项目总投资为150亿美元，主要制造闪存芯片。其中，第一阶段投资约为70亿美元，将于2020年3月竣工投产；第二阶段投资约为80亿美元，将于2021年下半年竣工。预计二期项目建成后，三星电子闪存芯片项目每月产能将新增13万片、产值将新增300亿元。