[导读]日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出具有可调及固定输出电压选择的 LDO 控制器,该器件采用 n 通道 MOSFET,可在高达 7A 的极高电流情况下提供不到 50mV 的超低压降。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出具有可调及固定输出电压选择的 LDO 控制器,该器件采用 n 通道 MOSFET,可在高达 7A 的极高电流情况下提供不到 50mV 的超低压降。
该SiP21301器件已进行了优化,可驱动 n 通道 MOSFET,以便为游戏机、机顶盒、液晶电视及网络设备中的 FPGA、ASIC 及 ASSP 供电。由于可与具有单独电源电压的外部 n 通道 MOSFET 一同使用,因此 SiP21301SiP21301 可使设计人员选择导通电阻、压降、输出电流及功耗额定值最适合他们应用的 FET,在电流高达 7A 时,其工作电压介于 0.65V~2.5V。SiP21301解决方案高达 80% 的效率有助于降低终端产品中的能耗,同时可简化直流到直流转换器的设计。
新型 SiP21301可在提供 7A 峰值电流时保持稳压,该器件非常适用于在开启时具有高浪涌电流并且具有超低压降要求的系统。 SiP21301具有可编程的启动时浪涌电流保护、短路保护、热关断及欠压锁定功能,可实现 IC 及外部 MOSFET 的安全运行。
该控制器提供了可调输出电压以及 1.2V 与 1.5V 的固定输出电压选择。该器件可提供低工作电流、低待机电流以及 1% 的输出电压精度。
该SiP21301采用小型无铅 (Pb) MSOP8 封装,可在 -40°C~+125°C 的结温范围内工作。
目前,SiP21301LDO 控制器的样品和量产批量已可提供,最初订单的供货周期为 8~12 周。
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