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新型功率MOSFET和IGBT驱动器器件（安森美）
时间：2008-04-15 14:16:00
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[导读]安森美半导体(ON Semiconductor)扩展MOSFET驱动器集成电路(IC)系列，推出四款新器件：NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。
安森美半导体(ON Semiconductor)扩展MOSFET驱动器集成电路(IC)系列，推出四款新器件：NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。这些新的功率门驱动器针对中低功率应用，适用于终端产品包括白家电、照明电子镇流器和马达控制等工业应用。
这些新的高压、高端和低端驱动器工作在-40℃至125℃的宽规定工作温度范围，并能工作在高达600伏(V)的输入电压，减轻了设计时间和精力。它们都具有每纳秒(V/ns) 50 V的dV/dt抗扰度，并兼容于3.3 V和5 V输入逻辑。这些器件使用启动电路(bootstrap)技术来确保驱动高端功率开关，并提供强固的设计。
NCP5104、NCP5106B、NCP5111和NCP5304是高压功率门驱动器，提供两路输出，用于直接驱动采用半桥配置的两个N沟道功率MOSFET或绝缘门极双极型晶体管(IGBT)。NCP5106A能够用于其它任何高端加低端配置。
NCP5104、NCP5106、NCP5111和NCP5304与行业标准器件引脚对引脚兼容，采用SOIC-8和PDIP-8封装，每2,500片的批量单价分别为0.80美元和0.96美元。
这些新的高压、高端和低端驱动器工作在-40℃至125℃的宽规定工作温度范围，并能工作在高达600伏(V)的输入电压，减轻了设计时间和精力。它们都具有每纳秒(V/ns) 50 V的dV/dt抗扰度，并兼容于3.3 V和5 V输入逻辑。这些器件使用启动电路(bootstrap)技术来确保驱动高端功率开关，并提供强固的设计。
NCP5104、NCP5106B、NCP5111和NCP5304是高压功率门驱动器，提供两路输出，用于直接驱动采用半桥配置的两个N沟道功率MOSFET或绝缘门极双极型晶体管(IGBT)。NCP5106A能够用于其它任何高端加低端配置。
NCP5104、NCP5106、NCP5111和NCP5304与行业标准器件引脚对引脚兼容，采用SOIC-8和PDIP-8封装，每2,500片的批量单价分别为0.80美元和0.96美元。
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