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[导读]低电压范围升压转换器通常用于移动设备,以便将电池电压(1.2V至4.2V)提升到较高的电压水平(如1.5至20V),从而为应用电路供电。在这个电压范围里,传导损耗是主要的考虑因素。市面上存在许多专门设计用于这些应用

低电压范围升压转换器通常用于移动设备,以便将电池电压(1.2V至4.2V)提升到较高的电压水平(如1.5至20V),从而为应用电路供电。在这个电压范围里,传导损耗是主要的考虑因素。市面上存在许多专门设计用于这些应用的器件,连续传导模式(CCM)是这些器件的主要工作模式。

高电压范围升压转换器通常用作具有90V至270VAC输入和约400VDC输出的PFC转换器,在这些应用中,传导损耗并不像在低电压升压转换器中那么重要,需要更多地考虑开关损耗和抗噪声能力。因而PFC控制器通常采用某些特别的设计要素如临界导通(CRM)工作模式、更高的电流感测电压。PFC控制器由于市场巨大而被广泛使用。

LEDTV背光应用需要24VDC输入、180VDC0.4A输出升压转换器,相比前面提到的低电压和高电压范围升压转换器,这类中等电压升压转换器很少用于消费电子产品。在这种电压和额定功率值范围中,传导损耗、开关损耗和抗噪声能力均需予以考虑,很难找到一款适合的较廉价的器件。

拓扑和器件选择考虑事项

在设计消费产品解决方案时,始终需要避免使用昂贵的拓扑和器件。而且,由于DC输入节点和输出节点(LED阵列)均位于次级端,因而LED背光照明级无需进行隔离。即便我们还有软开关谐振半/全桥拓扑等其它选择,升压(boost)拓扑是LEDTV背光照明电源应用的最佳核心拓扑。

考虑到用于移动设备的升压控制器具有高PWM频率(通常为500KHz至6MHz)和低噪声兼容性(电压模式或低电流感测电压)。用于AC/DC电源的PWM控制器似乎更合适,因其具有高栅极驱动电压(超过10V)和高电流感测电压(通常为0.5V-1.2V)。但是,大多数AC/DCPWM控制器的工作频率为50kHz至100kHz。这种频率范围对于90-270VAC输入的电源是合适的,因为它能够平衡开关损耗和电感元件尺寸。不过,对于24VDC输入电源,该频率有些低,因为低工作频率需要使用大电感器。

CRMPFC控制器是最佳的选择,因为它不仅具备AC/DCPWM控制器的优势(高栅极驱动电压和高电流感测电压),还能够通过选择电感将工作频率设置为最佳数值(200kHz)。即便CRMPFC控制器的反馈回路在电压模式下工作,但是其锯齿波发生器和比较器内置在芯片中,并具有足够大的振幅。因而,在噪声兼容性方面不会出现问题。

提高效率

使用标准CRMPFC控制器来实现升压转换器,因为具有相对较低的输入/输出电压和临界导通模式工作方式,开关损耗并不是问题,其问题在于传导损耗。图1所示为升压转换器中的主要传导损耗来源。


我们可以看到导通期间的传导损耗来自于Rsense、Rdson和Rcoil,本文不讨论减小Rcoil的方法,下面将分别探讨如何减小Rsense和Rdson。

在PFC应用中,Rsense值由最大额定功率来决定,在出现异常过流情况时,Rsense上的电压应当达到逐脉冲限流电平(Vcslim),需要保留10%的余量范围,因而可由下式计算Rsense:


对于本文探讨的应用,我们同样应当遵循这个公式。Rsense的功耗为:


,因而


我们可以看到Rsense的功耗与Vcslim成比例。标准PFC控制器的Vcslim约为0.5V至1.2V,以期避免噪声带来的错误触发。在FAN7930CM中Vcslim为0.8V。因为输入电压相对较高,而IQRMS相对较低,这个数值对于PFC应用是合适的。但对于24V输入应用,这一电压太高,使得PRsense过大。例如,我们使用飞兆半导体公司提供的设计工具,计算72WPFC(90VAC输入、400V/0.18A输出)的Rsense的功耗。我们得到结果:Rsense=0.289Ω,Rsense的功耗为0.22W。然后得出Rsense上的效率损失为0.22/72×100%=0.31%,如果我们使用相同的设计工具,计算具有24V输入、180V/0.4A输出的72WPFC控制器,其结果为:Rsense=0.077Ω,Rsense的功耗为0.96W,因而效率损失为0.96/72×100%=1.33%,相比90VAC输入状况高出三倍。

为了减小Rsense的功耗,我们设计了如图2所示的“电压垫高(Voltageblockup)”电路,使用分压器R1和R2在Vrs和Vsense引脚之间引入一个电压差,通过这个电压差,Vsense能够以较低的Rsense电压来达到Vcslim。

在图3中,我们可以看到通过增添R1和R2,即便Rsense上的电压降比Vcslim低很多,Vsense也能够达到(Vcslim/1.1)水平。这样可以降低Rsense的功耗。例如,在不使用R1和R2的情况下,如果Rsense为0.077Ω,当Ipk=10.39A,Vsense则为0.8V。如果Vgate=11V,R1=10KΩ,R2=400Ω,Rsense=0.0375Ω,当Ipk=10.39A,Vsense也可达到0.8V。但是,如果Rsense=0.0375Ω,Rsense的功耗则为0.47W,效率损失为0.47/72×100%=0.65%,相对于使用0.77ΩRsense,效率则可以提高0.68%。

在MOSFET晶片尺寸和封装相同的情况下,如果Vdss增加,MOSFET的Rdson会增大。例如,飞兆100VMOS器件FDD86102的Rdson为24mΩ。但是对于具有相同封装和价格的250VMOS器件FQD16N25C,Rdson为270mΩ。MOSFET器件的传导损耗在24mΩ和270mΩ条件下的差别很大,我们使用相同设计工具计算了24VAC输入、180V/0.4A输出PFC转换器Rdson的传导损耗。其数值分别是0.9W和10.08W。显然,270mΩRdson是不可接受的。在标准升压拓扑中,为了提供180V输出电压,需要使用250VMOSFET以获得足够的Vdss余量。在这种情况下,减小传导损耗的标准途径是选择一个Rdson较低的MOSFET器件。不过,在相同Vdss下,Rdson较低的MOSFET器件不仅昂贵,而且具有较大的Coss。较大的Coss意味着较大的关断损耗。这里,我们找到了另一种减小传导损耗的方法。就是使用100VMOSFET器件如FDD86102,将24V电压提升到180V,当然,必须采用特殊的方法解决电压问题,如自耦变压器。


图4所示为使用自耦变压器替代电感器的升压转换器,在导通期间,电流流经红色的路径就象标准升压转换器的一样,而在关断期间,电流则经过绿色路径。MOSFET漏极上的电压为:


如果我们输入N1=3T,N2=7T,Vdiode=1V,Vout=180V,Vin=24V,则Vd为:


因而可以使用100VMOSFET器件。[!--empirenews.page--]

设计示例和测试结果


图5所示为飞兆半导体用于LED背光照明电源的评估电路板的示意图。

U4,Q35,T3,D36和外部元件构成了这个升压转换器,绕组6-10用于实现零电流检测(ZCD),D37,C42,R39,R40具有两项功能,一项功能是作为箝位线路,吸收N1和N2之间的泄漏电感引起的电压脉冲,另一项功能是监视Q35的漏极电压,反馈至U4的引脚1,实现过电压保护。


图6


图7

图6是评估电路板顶部、底部和侧面照片。我们可以看到,增添R38,效率提高了1.09%。图7是使用/不使用Vrsense电压垫高电路(R38)的波形差别示意图。表2是使用/不使用自耦变压器的结果比较。如果不使用自耦变压器,应当去掉D37,将D37的阴极连接到24VVin。我们可以看到使用自耦变压器,效率提高了14.06%,图8所示为波形比较。


表1:使用/不使用Vrsense电压垫高电路(R38)的结果比较


表2:使用/不使用自耦变压器的结果比较


图8

本文小结

标准CRMPFC控制器就其特性、通用性和低价格而言,适用于中等电压升压转换器。传导损耗是其应用的主要挑战。采用电压垫高电路能够降低Rsense所需的峰值电压以期提升转换器的效率。在升压转换器中采用自耦变压器,允许使用低VdssMOSFET器件以减小Rdson,从而显著提升效率。评估电路板的测试结果证实这一思路是可行的。

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